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在科技浪潮奔涌的当下，全球存储市场早已形成了泾渭分明的竞争版图——三星、SK 海力士、美光三大巨头宛如鼎立的行业巨擘，牢牢把控着存储行业命脉。

根据 TrendForce 集邦咨询数据披露，2025 年第一季度数据显示，SK 海力士以 36% 的 DRAM 营收份额位居榜首，三星（33.7%）与美光（24.3%）紧随其后，三家合计占据全球 DRAM 市场 94% 的份额。在 NAND 闪存领域，三星以 31.9% 的市占率领跑，SK 海力士（含 Solidigm）以 16.6% 位列第二，美光、铠侠和闪迪则分别占据 15.4%、14.6% 和 12.9% 的市场份额。

三星电子以 " 存储帝国 " 之姿长期霸榜，在 NAND 闪存与 DRAM 领域展开其全产业链布局。凭借垂直整合优势与持续的研发投入，三星不仅能快速响应消费电子市场的多变需求，更在企业级存储解决方案中占据标杆地位，稳坐全球存储市场头把交椅。不过已连续 30 多年牢牢占据着 DRAM 行业第一宝座的三星，今年第一季度被挤到第二位，SK 海力士取而代之。

SK 海力士则另辟蹊径，在 HBM 这一高性能计算的 " 战略要地 " 率先突围。随着 AI 算力需求呈指数级爆发，这家韩国企业凭借领先近两代的制程工艺与稳定的产能输出，在 HBM 市场占据近七成份额，成为英伟达等 AI 巨头的核心合作伙伴，书写着存储细分领域的逆袭传奇；

美光科技则以稳健的技术迭代与多元化产品矩阵紧追不舍，其产品覆盖从传统存储到先进 3D XPoint 技术，在 PC、智能手机、数据中心等主流市场保持着强劲的议价能力。

然而，当我们将目光投向这看似坚不可摧的 " 铁三角 " 背后，那些曾在存储历史长河中闪耀的名字正诉说着行业的沧桑变迁。

英特尔作为半导体领域的老牌霸主，早年曾与美光携手开创闪存时代，却因战略重心向 CPU 倾斜，在 2025 年彻底剥离 NAND 业务，黯然退出存储主战场。

而日本存储产业的兴衰更堪称行业教科书——上世纪 80 年代，东芝、日立等企业曾占据全球 DRAM 市场半壁江山，却因错失 3D 堆叠技术先机与成本控制失利，最终在世纪之交的价格战中全线溃败，如今仅存的铠侠（原东芝存储）也只能在细分市场艰难求生。

存储市场，输家联盟再出发

这些消逝的行业参与者，恰似存储市场的 " 前朝遗珠 "，既见证了技术变革的残酷淘汰，也为当下三大巨头的崛起提供了借鉴。当我们深入剖析当前存储市场格局的形成轨迹，不难发现：在全球化竞争的历史进程中，这里既有技术创新的驱动，也有战略抉择的博弈和产业政策的深层影响。

而那些隐匿在巨头阴影中的历史注脚，正在洞察过存储产业兴衰密码的背后，再次跃跃欲试。

当存储市场的产业格局看似牢不可破时，一场由技术颠覆与战略重组引发的暗战正在悄然上演。

近日，曾因战略重心转移而退出存储主战场的英特尔，与急于在 AI 时代重建半导体话语权的软银集团携手成立合资公司 Saimemory，以 " 低功耗存储革命者 " 的姿态重新杀入赛道。这场被业界称为 " 技术输家联盟 " 的合作，实则暗藏着对未来存储生态的深度布局。

首先，我们先来回顾一下英特尔和日本在存储产业的发展历程和兴衰始末。

英特尔存储业务：

从技术先驱到战略转型的缩影

相信熟悉英特尔的朋友都不陌生，英特尔以存储技术起家。

1970 年，英特尔推出全球首款 1K DRAM 芯片 1103，彻底颠覆磁芯存储器的统治地位。凭借双轨研发策略（CMOS 与双极型技术并行）和 IDM 运营模式，英特尔在 70 年代一度占据 DRAM 市场 90% 份额。

1973 年，英特尔推出的 2102 SRAM 更将存储密度提升至 1K，销售额突破 6600 万美元。这一时期，英特尔通过技术迭代和规模化生产，成为全球存储芯片的标杆企业。

来到 1980 年代，此时日本企业通过 VLSI 国家项目实现技术突破，NEC、东芝等厂商凭借高良率和低价策略（64K DRAM 价格一年暴跌 90%）迅速抢占市场。1981 年日本在 16K DRAM 市场占比达 40%，1985 年 64K 时代更升至 56%，而此时的英特尔因成本劣势陷入巨额亏损。

兵败如山倒，1985 年英特尔宣布退出 DRAM 市场，转向 CPU 领域，这一决策被《经济学人》称为 "半导体史上最重大的战略转向 "。

直到 1988 年，英特尔与美光成立合资公司 IM Flash，开发 NAND 闪存技术，开启闪存时代的二次探索。

经过多年发展，2007 年英特尔推出 25 纳米 NAND，单个芯片容量达 8GB，推动 SSD 普及。2015 年与美光联合发布 3D XPoint 技术，品牌化为 " 傲腾 "（Optane），宣称性能是传统 NAND 的 1000 倍。

但好景不长，英特尔迎来商业化困境，傲腾因成本过高、生态适配不足等原因，未能打开市场。2019 年第三季度存储部门营收虽增长 19%，但持续亏损导致 2021 年将 NAND 业务以 90 亿美元出售给 SK 海力士，成立 Solidigm，彻底退出闪存市场。傲腾也最终于 2024 年停产，成为技术领先但商业化失败的典型案例。

今年 3 月，英特尔完成了与 SK 海力士的最后一笔交易，将其 NAND 闪存业务全面移交给 SK 海力士，包括知识产权和员工。这宣告着英特尔在 2025 年彻底退出了 NAND 业务。

除了存储业务的失败，英特尔近年来也处于多业务受挫与战略调整、转型的阵痛之中。

一方面，AI 芯片市场持续失位，技术路线选择与市场需求严重脱节；另一方面，付以众望的晶圆代工业务同样举步维艰，英特尔代工服务（IFS）自 2021 年启动以来，持续面临技术延迟与客户信任双重危机，2024 年亏损高达 134 亿美元。

此外，为缓解现金流压力，英特尔近年加速剥离、减持 Altera 和 Mobileye 等非核心资产。这些举措虽带来一些现金流，但却也暴露出其 " 收缩战线 " 的无奈—— 2024 年净亏损达 188 亿美元，创历史新高，进而引发公司大规模裁员与企业文化危机。

能看到，在多重战略失误下，英特尔正在经历业务全面承压，技术路线与生态构建的双重困境。

日本存储产业：从巅峰到衰落的启示录

日本存储产业的崛起始于 1970 年代，其核心驱动力是国家战略与技术整合。

上文提到，1975 年日本启动 VLSI 项目，整合富士通、日立等五大企业，攻克光刻、刻蚀等核心技术，获得 1000 多项专利，使日本在 1980 年代掌握全球 70% 的 DRAM 产能。

当时，日本 DRAM 芯片的良品率比美国高 30%，价格低 60%。同时，日本企业聚焦全产业链模式，从设计到生产全流程把控，例如在清洗设备领域通过液体材料的非标准化整合形成隐性知识壁垒等。根据 1980 年惠普研究显示，美国最好企业的错误率是日本最差企业的 6 倍。

1985 年，日本在全球 DRAM 市场份额达 80%，NEC、东芝、富士通等日企跻身全球半导体企业前五。

但很快，备受打压的美国开启了反击。1986 年，《美日半导体协议》强制日本开放市场、限制出口价格，并对 DRAM 征收 100% 关税，协议要求美国半导体在日本市场份额达 20%，贸易制裁直接削弱日本产品竞争力，导致其错失了个人计算机市场的爆发期。

1987 年，美国以东芝向苏联出售精密机床为由，禁止其产品出口美国 2-5 年，进一步打击了日本半导体产业。

与此同时，随着韩国与中国台湾厂商崛起，日本厂商逐渐被市场边缘化。三星通过 " 逆周期投资 " 在价格低谷期扩产，1992 年推出全球首款 64M DRAM。2008 年金融危机后彻底击垮日本企业。日本企业则因过度依赖 DRAM，错失 NAND 闪存发展机遇，东芝虽在 1984 年发明闪存，但未及时商业化。

另一个关键原因还在于，日本过于追求极致品质但忽视成本控制。例如，尔必达在 2000 年代仍坚持采用 12 英寸晶圆厂，而在市场景气衰落时韩国已转向 14 纳米制程，导致日本存储芯片成本劣势扩大。

在多重打击下，日本存储产业节节衰退，随之而来的是市场份额的崩塌。

2012 年尔必达破产被美光收购，标志着日本 DRAM 产业彻底退出历史舞台。2023 年，日本半导体企业无一进入全球前十，DRAM 市场份额不足 1%。

英特尔与日本存储产业的兴衰揭示了半导体行业的核心规律：

技术路线决定生死：英特尔在 DRAM 时代因技术路线单一被日本超越，却通过 CPU 生态重建霸权；日本因过度依赖 DRAM 的单一技术路线、错失闪存机遇而衰落，却在材料设备领域保持优势。

政策与资本的关键作用：日本 VLSI 项目和韩国逆周期投资证明，国家战略与资本投入能改变产业格局；而美日贸易制裁则凸显地缘政治对技术竞争的深刻影响。

生态系统的重要性：英特尔 Optane 的失败与日本存储产业的衰退，与其未能构建开放的技术生态密切相关，技术创新需与产业链协同、市场需求深度绑定，否则难以实现商业化突破。

失意者惺惺相惜：

软银的 AI 野心与英特尔的技术反哺

当存储巨头三星、SK 海力士、美光筑起护城河时，两个 " 失意者 " 正试图背水一战——曾因战略失误退出存储市场的英特尔，与历经 DRAM 霸权崩塌的日本存储产业，通过英特尔与软银的合资公司 Saimemory 再度联手，重新出发。

众所周知，目前大多数 AI 处理器皆使用 HBM 芯片，这类芯片非常适合暂存 AI GPU 所处理的大量数据资料，但由于 HBM 制程相对复杂、成本高昂，且容易过热、耗电较多。

与此同时，HBM 领域还面临 SK 海力士、三星、美光等存储大厂近乎垄断的地位。对此，英特尔与软银选择另辟蹊径——开发基于堆叠式 DRAM 的新型 AI 内存芯片。

这种采用不同于 HBM 布线方式的创新设计，通过垂直堆叠多颗 DRAM 芯片并改进互连技术（如英特尔的 EMIB 桥接技术），优化连接方式，达到比现行先进存储器储存容量至少大一倍，在提升单芯片容量至 512GB 的同时，将功耗降低约 50%，并大幅降低成本的目标。相较于 HBM 依赖硅通孔（TSV）技术的复杂工艺，Saimemory 的方案更侧重通过结构优化实现能效突破，预计量产成本仅为 HBM 的 60%。同时，该技术路径兼容现有 AI 处理器接口，无需大规模硬件改造，降低客户迁移成本。这一技术路线已获得东京大学等机构的专利支持。

据悉，这并非首次有半导体公司尝试 3D 堆叠式 DRAM 技术。三星早在 2024 年便宣布推出 3D 堆叠式 DRAM，另一家公司 NEO Semiconductor 也正开发名为 3D X-DRAM 的新技术。然而，这些方案主要着眼于提升单一芯片的容量，目标为打造 512GB 的大容量存储器模组。相较之下，Saimemory 则聚焦于降低耗电量，这对电力需求年年攀升的 AI 数据中心来说，无疑是迫切的新解法。

投资方面，软银此次注资 30 亿日元成为最大股东，降低英特尔研发风险，同时借助日本政府补贴（预计超 50 亿日元）分摊成本。

据了解，Saimemory 的目标是 2027 年前完成原型设计并评估量产可行性，力拼 2030 年前实现商业化。

根据合作协议，若这项技术成功，软银将优先获得 Saimemory 产品供应，用于其正在筹建的 AI 训练数据中心，目标是以更低成本构建高性能计算集群。目前全球仅有三星、SK 海力士与美光三家公司能生产最新一代 HBM 芯片。由于 AI 芯片需求旺盛，HBM 供应持续吃紧，Saimemory 希望借由这项替代产品，抢攻日本数据中心的市场。

对于英特尔而言，这既是其 "IDM 2.0" 战略的延伸，也是技术资源的二次激活：通过开放芯片堆叠、封装等核心技术，英特尔试图在存储领域重建生态影响力，而非单纯依赖自有制造能力。

值得关注的是，该项目还获得东京大学、日本理化学研究所等机构的技术支持，暗含日本政府推动本土半导体复兴的深层诉求。这也是日本 20 多年来首度力图重返存储器芯片主要供应国之列。

总体来看，此次合作瞄准 AI 数据中心的低功耗存储需求，以堆叠式 DRAM 技术绕开 HBM 专利壁垒，依托日本政策补贴与软银算力需求，试图在 2030 年前撕开市场缺口。这场 " 输家联盟 " 的破局之战，既是技术路线的背水一战，更是全球存储格局重构的关键变量。

搅动存储格局的变量与隐忧

进一步讲，这场合作更深远的影响在于，它标志着存储市场竞争维度的升级——从单纯的制程竞赛转向架构创新与生态整合。当三星、SK 海力士在 HBM 赛道你追我赶时，英特尔与软银的 " 低功耗替代方案 " 或许正在开辟第二战场。

正如行业专家向笔者强调：" 在 AI 算力需求呈指数级增长的今天，任何能够显著降低能耗、提升数据处理效率的技术，都可能重塑市场格局。" 而这场技术博弈的最终结果，或将决定下一个十年存储产业的权力版图。

尤其是英特尔和日本企业这两位曾经的 " 存储先驱 " 入局，更意味着这或许不仅是顶级玩家之间的一场技术竞赛，更可能引发未来几年内存领域的供应链大洗牌。AI 时代对内存的需求只增不减，而 HBM 的垄断格局正等待被打破。

Saimemory 可能是这场变革中的 " 黑马 "，将对存储巨头从技术路径、市场份额和产业生态等三个维度，带来结构性挑战。

技术路径分流，重构 AI 存储竞争逻辑：Saimemory 开发的堆叠式 DRAM 通过架构创新实现功耗降低 40%-50% 的核心突破，这直接切中 AI 数据中心电力成本高企的痛点。尤其是在 2024 年 HBM 价格上涨超 50%，2025 年仍供不应求的情况下。

尽管其带宽性能尚未明确超越 HBM，但在边缘计算、中小型 AI 服务器等对功耗敏感的场景中，可能形成差异化竞争力。这种技术路线分流可能迫使三大巨头在维持 HBM 性能优势的同时，加速研发低功耗替代方案——三星已在 2025 年宣布开发 3D DRAM，但重点仍在容量提升；SK 海力士则通过与台积电合作 HBM4 封装技术强化性能壁垒。

存储市场份额博弈：Saimemory 的战略支点之一是帮助日本抢占数据中心市场。日本政府不仅通过高校和研究院所提供技术支持，还可能通过政策倾斜帮助其打开本土市场。

这对三星、SK 海力士构成双重压力：一方面，日本曾是全球 DRAM 核心市场，若 Saimemory 实现国产化替代，可能导致韩企在亚太地区的份额下滑；另一方面，软银作为投资者优先获得供应权，可能推动日本云服务商调整采购策略，减少对韩系 HBM 的依赖。当前，三星、SK 海力士在日本 HBM 市场的份额超过 80%，Saimemory 若能在 2030 年前实现量产，预计将分流市场需求。

绕开 HBM 专利壁垒，产业生态重构：英特尔的技术开放策略可能打破现有专利垄断格局。Saimemory 整合了英特尔的 EMIB 封装技术和东京大学的存储架构专利，形成绕过 HBM 核心专利的技术组合。尽管三星、SK 海力士持有 HBM 相关专利超 4000 项，但 Saimemory 的堆叠式 DRAM 通过布线方式创新，可能在部分应用场景中规避侵权风险。

不过，英特尔与日本存储产业的复兴之路仍充满挑战。

尽管 Saimemory 计划在 2030 年前实现商业化，但其技术可行性与市场接受度仍存悬念。当前 HBM 市场正处于爆发期，SK 海力士已宣布 2025 年 HBM 产能将翻倍至 54 万颗 / 月，三星也加速推进 HBM4 量产。

Saimemory 若想在 AI 存储市场分一杯羹，需在性能指标上达到或接近 HBM 水平，同时证明其成本优势。此外，代工模式的产能稳定性、专利壁垒（HBM 相关专利多被三星、SK 海力士掌握）以及巨头的技术压制，都可能成为项目落地的 " 拦路虎 "。

例如，代工模式虽能降低初期投资，但产能稳定性和良率控制存疑—— SK 海力士已通过与台积电合作 HBM4 封装锁定产能优势，而三星凭借 IDM 模式可快速调整产线，将 HBM 良率提升至 90% 以上。而 Saimemory 依赖台积电代工，若无法在 2030 年前将良率稳定在 90% 以上，量产成本可能难以低于 HBM 的 70%。

与此同时，三大巨头还可能通过价格战挤压 Saimemory 的生存空间—— 2025 年 HBM3E 价格已同比下降 18%，对 Saimemory 成本进一步造成冲击。

此外，与现有 AI 处理器的兼容性适配尚未完全验证，需与英伟达、AMD 等芯片厂商深度协同。在产业链协同方面，Saimemory 需构建从材料到设备的完整生态。但相比之下，三大巨头的生态壁垒更为坚固：三星与 AMD 深度绑定 CXL 技术，SK 海力士通过 CoWoS 封装与台积电形成产能协同，美光则与英伟达签订长期供应协议。若 Saimemory 无法在 2030 年前建立类似的生态联盟，也可能难以突破技术孤岛困境。

在这个过程中，各大存储巨头还在不断通过产能扩张应对需求，可能挤压 Saimemory 的市场空间。

写在最后

这场迟来的战略突围，既是技术路线的博弈，更是全球产业链权力重构的缩影。

这场博弈的最终结果将取决于技术落地速度与市场接受度，Saimemory 的竞争力呈现 " 细分市场破局潜力大，但主流市场替代难度高 " 的特点。若 Saimemory 能在 2030 年前实现商业化，可能在 AI 存储市场中开辟出 10%-15% 的 " 低功耗细分市场 "，并推动存储技术从单一性能竞赛转向 " 性能 - 功耗 - 成本 " 多维竞争。

然而，面对三星、SK 海力士、美光等巨头的技术迭代壁垒与生态封锁，这场 " 输家联盟 " 的突围能否打破 " 强者恒强 " 的产业铁律？当技术理想照进商业现实，当区域政策对接全球需求，Saimemory 的每一步试探，都在改写存储产业的可能性边界。而属于这场博弈的最终注脚，或许藏在 2030 年的量产数据里，在巨头们的应对策略中，更在技术与市场永恒互动的留白处，静待时间揭晓答案。

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