根据统计，今年台积电（TSMC）在全球范围内同时建造 9 座半导体设施，包括 8 座晶圆厂和 1 座先进封装厂。其中包括美国亚利桑那州凤凰城 Fab 21 的第 2 座晶圆厂，计划安装 3nm 工艺生产线，2027 年至 2028 年之间量产。

据 TrendForce报道，台积电正在制定 Fab 21 第 2 座晶圆厂的设备安装计划，最早会在 2026 年第三季度开始安装设备。最近台积电加快了工程的进度，希望能将建设时间缩短到两年，供应链也提升了速度，以满足客户的需求。传闻台积电打算将 2026 年芯片的价格上调 3% 至 5%，以抵消不断上涨的晶圆厂建设成本，而在美国当地制造的芯片涨幅预计会更大，可能会超过 10%。

台积电在 3 月初宣布，将增加 1000 亿美元投资于美国先进半导体制造，包括了 3 座新建晶圆厂、2 座先进封装设施、以及 1 间主要的研发团队中心。在 4 月末，台积电举行了 Fab 21 第 3 座晶圆厂破土动工仪式。另外 2 座晶圆厂的土地审查工作已经在进行当中，台积电在当地拥有 1,100 英亩的土地，共计划建造 6 座晶圆厂。

与晶圆厂的进度相比，2 座先进封装设施的速度显然慢许多，台积电甚至还没有确定选址。最新消息称，台积电首个先进封装设施将专注于 SoIC 封装，计划 2026 年第三季度才开始建设，这意味着未来几年台积电在美国制造的芯片仍然依赖于中国台湾地区的 CoWoS 封装产线。