此前有报道称，三星在 1cnm DRAM 生产测试中实现了 50% 至 70% 的良品率，相比于去年末不到 30% 的水平，有了大幅的提升。1cnm DRAM 的进展也与三星的 HBM4 量产计划紧密相连，三星最快在今年末开始量产 HBM4。

据 TECHPOWERUP报道，有消息人士透露，1cnm DRAM 生产已经在三星内部获得批量生产许可，这标志着新一代 DRAM 技术已开发完成。三星也遵循了之前 DRAM 技术升级的节奏，迭代时间约为两年。

1cnm DRAM 属于第六代 10nm 级别工艺，电路线宽约为 11-12nm，领先于现有第五代 10nm 级别的 1bnm（电路线宽约为 12-13nm）。为了提高良品率，满足量产的要求，三星在今年初还选择重新调整 1cnm DRAM 的设计。三星如此重视，很重要的一点是打算将新工艺引入到 HBM4 的生产。与 SK 海力士和美光在 HBM4 上选择 1bnm DRAM 不同，三星将赌注压在了 1cnm DRAM 上，希望利用新技术取得竞争优势。

HBM4 属于第六代 HBM 产品，为 12 层垂直堆叠，三星打算选择 4nm 工艺用于大规模生产 HBM4 的基础裸片，并搭配 1cnm DRAM 芯片。随着英伟达下一代 Rubin 架构 GPU 的到来，加上 AMD 也在准备 Instinct MI400 系列，两者都计划采用 HBM4，预计 HBM4 在 2026 年下半年将成为主流。