台积电（TSMC）在今年 3 月，宣布，计划增加 1000 亿美元投资于美国先进半导体制造，包括了 3 座新建晶圆厂、2 座先进封装设施、以及 1 间主要的研发团队中心。过去几个月里，台积电加快了亚利桑那州凤凰城 Fab 21 的项目建设，已开工建设第 3 座晶圆厂。

据 ComputerBase报道，台积电计划在 Fab 21 附近建造两座专用建筑，在当地提供先进封装服务。首个先进封装设施 AP1 计划 2028 年开始兴建，与 Fab 21 的第三阶段建设项目同步，可以为 N2 及更先进的 A16 工艺服务。第二座先进封装设施 AP2 将与 Fab 21 的第四 / 五阶段同步，但是还没有具体的日期。

两个先进封装设施将专注于 CoPoS 和 SoIC 封装技术，前者将使用 310 × 310 mm 的矩形面板取代传统的圆型晶圆，后者则是在计算核心下面堆叠缓存或内存芯片，这一技术已经在 AMD Ryzen X3D 处理器中得到了验证。台积电计划在 2026 年启动 CoPoS 试点生产工作，目标 2027 年末完成与合作伙伴之间的验证工作，以保证赢得包括英伟达、AMD 和苹果在内主要客户的订单。

预计 AP1 要到 2029 年末或 2030 年初才能开始投入运营，与台积电的交付时间惯例保持一致。