IT 之家 7 月 16 日消息，韩国半导体设备企业韩美半导体 ( HANMI Semiconductor ) 董事长郭东信当地时间昨日表示，在 HBM 4/5 世代就为 HBM 内存导入混合键合工艺犹如杀鸡用牛刀，并无必要。

韩美半导体是全球第一大 HBM 内存 TC（热压缩）键合机台供应商。根据郭东信的说法，最近两年由该企业设备实施键合步骤的 HBM 堆栈占到英伟达 HBM3E 内存整体供应量的九成。

▲ 韩美半导体的 HBM 内存 TC 键合设备

郭东信表示，一台混合键合设备的价格就要超过 100 亿韩元（IT 之家注：现汇率约合 5190 万元人民币），是传统 TC 键合机的两倍以上；此外 JEDEC 制定的 HBM4 规范将堆栈高度要求放宽到了 775 μ m，没有必要通过无凸块的混合键合进一步降低 DRAM Die 间距，TC 键合机足以满足 HBM4 乃至 HBM5 的工艺需求。

韩美半导体计划今年推出无助焊剂 ( Fluxless ) 类型的 HBM 键合设备，瞄准 HBM6 内存需求的混合键合机则目标在 2027 年推出。