铠侠（Kioxia）宣布，第九代 BiCS FLASH 512Gb TLC 闪存的样品已开始出货，计划在 2025 财年量产。新产品旨在支持中低级存储容量中需要高性能和卓越能效的应用，同时铠侠也打算集成到企业级 SSD 中，特别是以最大限度提高人工智能（AI）系统中 GPU 效率的 SSD。

铠侠继续追求双轴战略，以满足尖端应用的多样化需求，同时提供具有竞争力的产品，提供最佳的投资效率。这两条线路包括：

第九代 BiCS FLASH 产品 - 通过 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术降低生产成本，以实现高性能，将现有存储单元技术与最新 CMOS 技术相结合。

第十代 BiCS FLASH 产品 - 增加了存储层的数量，以满足未来对更大容量、高性能解决方案的预期需求。

第九代 BiCS FLASH 512Gb TLC 闪存与铠侠的相同 512Gb 容量的 BiCS FLASH 产品相比，有明显的性能改进，最高连续读取和连续写入速度分别提高了 12% 和 61%，读写操作效率分别提高了 27% 和 36%，Toggle   DDR6.0 接口实现了 3.6Gb/s 的高速 NAND 接口性能，另外通过平面微缩技术将存储密度提升了 8%。

此外，铠侠还证实了 512Gb TLC 在演示环境下 NAND 接口速率可达 4.8Gb/s。

铠侠表示，将致力于加强其全球合作伙伴关系并追求进一步的创新，以继续提供满足客户多样化需求的最佳解决方案。