快科技 7 月 28 日消息，铠侠 ( 原东芝闪存业务 ) 、闪迪 ( 原西数闪存业务 ) 联合宣布，第九代 BiCS 9 闪存已经开始出样给客户。

BiCS 9 的定位介于现有的第八代 BiCS 8、未来的第十代 BiCS 10 之间，不像后者追求尖端技术与性能，堆叠到 332 层，而是更注重性价比，平衡性能与能效，充分利用成熟工艺和技术，主要面向企业级、AI 应用。

未来，BiCS 9/10 将会持续并行发展，不存在彼此取代关系。

BiCS 9 还采用了混合架构，首先单独制造 CMOS 控制电路晶圆、NAND 闪存阵列晶圆，然后键合在一起，形成单一高性能封装——长江存储就是这么干的。

BiCS 9 在第五代 BiCS 5 ( 112 层 ) 和第八代 BiCS 8 ( 218 层 ) 的基础上，升级更先进的 I/O 接口， 尤其是支持 Toggle DDR 6.0，因此最高传输速度达到 3600MT/s，特殊测试环境下的峰值甚至高达 4800MT/s。

对比此前的 512GB TLC 闪存，BiCS 9 仍然有着全面的提升：

写入性能提升最多 61％、能效提升最多 36％，读取性能提升最多 12％、能效提升最多 27％，另外存储密度也增加了 8％。