芯东西（公众号：aichip001）

作者 | ZeR0

芯东西 8 月 1 日报道，今日，英伟达（NVIDIA）官网更新 800V 直流电源架构合作商名录，其中芯片供应商只有一家是中国芯片企业——英诺赛科。

通过合作，英诺赛科为英伟达 Kyber 机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，其技术路径已获微软、谷歌等科技巨头跟进。

此次合作将推动 800V 直流（800 VDC）电源架构在 AI 数据中心的规模化应用，将单机房算力密度将提升 10 倍以上，助力单机柜功率密度突破 300kW，推动全球 AI 数据中心正式迈入兆瓦级供电时代。

受此消息影响，今日英诺赛科股价上涨 30.91%，最新总市值为 515 亿港元。

随着大模型蓬勃发展，AI 集群算力功耗暴涨带来电力成本压力。

根据 Gartner 预测，2027 年全球 AIDC 年新增耗电量将达 500TWh，较 2024 年几乎翻倍，电力成本占数据中心总运营支出的 40% 以上。

传统 54V 低压架构在单机柜功率超 200kW 时遭遇物理极限，传统供电架构已难以负荷高密度算力集群的庞大能源需求，效率瓶颈与能耗压力成为阻碍 AI 产业迈向新高度的核心制约因素。

当前 AI 训练集群单 GPU 功耗突破 10kW，英伟达 Rubin Ultra 等下一代平台更将机柜总功率推至 600kW 以上。

英伟达主导的 800 VDC 架构有两大特点：

（1）电网直连高压化：将 13.8kV 交流电直接转换为 800V 直流，减少 AC/DC 转换环节，端到端能效提升 5%；

（2）材料与空间优化：电压提升使铜缆用量减少 45%，机房占地面积缩减 40%，单机柜功率密度支持 600kW 以上。

为什么选英诺赛科合作呢？核心原因跟第三代半导体材料氮化镓（GaN）有关。

对于追求极致能效与紧凑设计的新一代 AI 供电系统而言，氮化镓是突破传统供电方案技术瓶颈的最佳材料方案之一。

传统硅基器件因开关频率低、耐压能力弱，难以支撑高功率密度下的高效电能转换。氮化镓（GaN）凭借多项独特性能成为 800V 架构的理想载体：

高压适配性：3.4eV 禁带宽度（硅材料的 3 倍），在 800V 高压环境依然能保持稳定性；

能效跃升：电子迁移率达硅器件 3 倍，能源转换损耗降低 30%，峰值效率突破 98%；

空间压缩：相同功率下体积仅为硅器件的 1/5-1/3，功率密度提升至 92.4W/cm³，机房占地面积可缩减 40%，在 AI 数据中心的有限机房及机柜空间内塞入更多供电模块，支撑更高密度的算力集群。

英诺赛科具备从衬底、外延、芯片设计到封装测试的 IDM 全链优势：

（1）工艺制造能力：自主研发的 8 英寸 GaN-on-Si 量产线，良率达 95% 以上，推动成本下降 40%，是目前业界最先进的生产线之一，产能居行业首位；

（2）技术领先：第三代 GaN 器件高频效率达 98.5%，支持 15V-1200V 全电压场景；

（3）方案创新：高压 / 中压 / 低压三级 DC-DC 转换架构，系统性提升整体转换效率，实现从电网到 GPU 的端到端的高效传输。

随着 800 VDC 架构的规模化落地，预计将使数据中心总能耗降低 20%-30%，年减碳数千万吨，同时机房空间需求缩减 40%。