快科技 8 月 6 日消息，据媒体报道，作为全球最早量产 HBM4 的存储器制造商，SK 海力士正为 AI 芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位，SK 海力士计划提高 HBM4 售价，预计相比 HBM3E 溢价可能高达 70%。

业内消息指出，今年上半年，SK 海力士供应给英伟达的 12 层堆叠 HBM4 单价约为 500 美元，相较同规格 HBM3E（约 300 美元）高出 60%-70%。

这一强势定价源于其在英伟达 Blackwell Ultra 产品组合中近乎垄断的 HBM3E 供应地位，以及 HBM4 领域的先发优势。更高的价格也反映了新一代 HBM 制造技术的复杂性，特别是其选择台积电 4nm 工艺生产基础裸片（Base Die）的成本考量。

面对高利润 HBM 市场的激烈争夺，三星正加速推进 1cnm DRAM 技术的开发与量产。吸取过往经验，三星此次策略转向稳扎稳打：不盲目追求抢先供应 HBM4，而是聚焦于打造一款能够实现稳定供应的成熟产品，以赢得 AMD 及英伟达等客户的采用，确保长期可靠收益。随着 HBM4 时代临近，头部厂商间的竞争态势预计将比 HBM3/HBM3E 时期更为激烈。