今年 3 月，台积电（TSMC）宣布，计划增加 1000 亿美元投资于美国先进半导体制造，包括了 3 座新建晶圆厂、2 座先进封装设施、以及 1 间主要的研发团队中心。最近台积电加快了亚利桑那州凤凰城 Fab 21 的项目，开工建设第 3 座晶圆厂，为此还推迟了海外其他地区的建厂计划，将这部分资源转到了美国。

据 TrendForce报道，随着美国政府宣布计划对半导体征收 100% 关税，同时美国制造的芯片将获得豁免，为此台积电正在快速推进美国工厂二期工程，以满足当地的生产要求。有消息人士透露，Fab 21 的第 2 座晶圆厂预计 2026 年 10 月开始入驻设备，预计 2027 年第二季度建成一条迷你生产线，并在 2027 年第四季度开始量产，早于原计划的 2028 年。

按照之前的说法，台积电计划在 Fab 21 附近建造两座专用建筑，在当地提供先进封装服务。首个先进封装设施 AP1 计划 2028 年开始兴建，与 Fab 21 的第三阶段建设项目同步，可以为 N2 及更先进的 A16 工艺服务。第二座先进封装设施 AP2 将与 Fab 21 的第四 / 五阶段同步，但是还没有具体的日期。

据了解，台积电首批引入的封装技术为 SoIC 和 CoPoS，并非现在经常谈及的 CoWoS。