快科技 8 月 10 日消息，据报道，三星计划重新推出其 Z-NAND 存储技术，目标性能比传统 NAND 闪存提升高达 15 倍，同时功耗降低 80%。

此外，三星还开发了一种名为 "GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）" 的新技术，允许 GPU 直接访问 Z-NAND 存储设备，类似于微软的 DirectStorage API。

三星的 Z-NAND 技术最初于 2010 年代中期推出，目标是与英特尔 3D XPoint Optane 存储技术竞争。两者都引入了一种新型固态存储，其性能接近 DRAM，系统延迟远低于传统 SSD。

与英特尔的 3D XPoint Optane 不同，三星的第一代 Z-NAND 本质上是加速版的 NAND SLC SSD。

其基于改进的 V-NAND 设计，采用 48 层结构，以单层单元（SLC）模式运行，其关键改进是将页面大小减小至 2-4KB，从而实现更快的数据读写速度和更低的系统延迟。

当时，基于英特尔 Optane 和三星 Z-NAND 的驱动器速度比传统 SSD 快 6-10 倍，如果三星的下一代 Z-NAND 达到预期目标，其性能将比当前的 NVMe SSD 高出 15 倍。