快科技 8 月 11 日消息，逻辑芯片在进入 5nm 节点之后全面使用了 EUV 工艺，存储芯片使用 DUV 工艺为主，这四五年才刚开始尝试 EUV 工艺，现在 SK 海力士公司更为激进，新一代 DDR5 将使用 6 层 EUV 光刻。

大家都知道，相比于 DUV 光刻，EUV 光刻的 13.5nm 波长更短，光刻精度更高，有助于提告密度，减少工艺复杂性，以往需要多次光刻的步骤在 EUV 上可能一次就够了，这对 DRAM 内存芯片来说也是适用的。

三星早在 2020 年就率先宣布在内存芯片中使用 EUV 光刻，美光随后也跟上了，SK 海力士晚了一年在 2021 年才宣布在第四代 10nm 级工艺上使用 EUV 光刻，不过之前 DRAM 芯片往往只使用了 1 层 EUV 光刻。

现在 SK 海力士要加码 EUV，第六代 10nm 级 DDR5 芯片（1c DRAM）将全面改进光刻工艺，EUV 光刻层数将提升到 5 层以上，也就是 6 层起步，并且在未来的 1d、0a 级别内存上全面使用 EUV 光刻。

不过首发的产品规格并不高，DDR5 内存的颗粒还是 16Gb 的，并没有太过追求容量提升，还是主流水平。

除了 DDR5 内存芯片，HBM 家族的芯片未来也会大量使用 EUV 光刻工艺，SK 海力士希望用技术优势让对手追无可追，希望甩开三星的意图很明显。

不仅如此，SK 海力士还在下一代的 EUV 光刻机—— High NA EUV 上押注颇多，后者的 NA 数值孔径从当前 EUV 的 0.33 提升到 0.55，精度更高，不过光刻机的价格也贵了很多，从 1.5-2 亿美元暴涨到 4 亿美元甚至更高。

SK 海力士计划从 2026 年开始使用 High NA EUV 光刻机生产内存芯片。