去年 8 月，SK 海力士宣布已成功开发出全球首款采用 1cnm（第六代 10nm 级别）工艺的 16Gb DDR5 DRAM，新产品不但提升了性能，还能降低功耗。2025 年 2 月，SK 海力士开始量产1cnm DRAM 芯片，成为全球首家运用 1cnm 工艺生产 DRAM 芯片的存储器供应商。与此同时，三星的 1cnm DRAM 技术开发也在提速，计划今年末开始量产，并应用于 HBM4。

据 Wccftech报道，随着三星加快 1cnm DRAM 的开发和量产工作，SK 海力士似乎更加认真地对待竞争对手。SK 海力士很可能成为首个将 1cnm DRAM 技术提升至 6 层 EUV 的存储器厂商，从而为市场设定新的标准，并增强自身在消费端和 HBM 的竞争力。更为重要的一点是，这次升级还将推进 SK 海力士下一代 DRAM 技术的开发，为未来加入 High-NA EUV 设计奠定基础。

相比于 DUV，EUV 的应用针对于更为复杂的电路，在采用先进制程的逻辑芯片上已经得到了广泛的应用，不过在 DRAM 技术上仍处于初级阶段。现在的 DRAM 技术采用的是 EUV 与 DUV 层结合的混合方案，而 SK 海力士则计划将 1cnm DRAM 完全切换到 6 层 EUV，这使其能够打造出良品率更高、性能更强、利润更高的产品。

目前 1cnm DRAM 技术还没有用于任何传统的消费端内存解决方案，SK 海力士还在探索其他的选择，EUV 作为新一代 DRAM 技术的组成部分，将会长期使用，预计在下一代内存上会有更多的应用。