快科技 9 月 3 日消息，毫无疑问，中国一直在努力推进国产化 HBM 内存，毕竟这对于 AI 计算是至关重要的。

根据 DigiTimes 的最新报道，长江存储正积极准备进入 DRAM 内存领域，并寻求与长鑫存储合作，共同攻克 HBM 内存技术难关。

报道称，双方堪称天作之合，因为长鑫存储有扎实的 DRAM 内存技术基础，长江存储则有领先的 Xtacing 晶栈工艺，理论上也可以用于内存的键合与封装，尤其是随着 HBM 的不断迭代，混合封装是提升带宽、改进散热的关键所在。

有关报告显示，长鑫存储在 HBM2 上取得了重大突破，已经给客户送样，预计明年年中可小规模量产。

同时，长鑫存储出还在积极推进 HBM3，预计最快 2026-2027 年即可搞定，甚至能同步做到 HBM3E。

还有报道称，中国厂商正在 HBM 技术上联合起来，比如长江存储、武汉新芯开发封装技术，通富微电子则在组装环节贡献力量。

相比 SK 海力士、三星、美光三大原厂，中国 HBM 技术虽然差距依旧很大，但追赶的速度非常快。