《科创板日报》9 月 12 日讯（编辑 宋子乔） 据韩联社等多家韩媒今早报道，SK 海力士 12 日宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存储器新产品 HBM4 的开发，实现了全球最高水平的数据处理速度和能效，并在全球首次构建了量产体系。

消息发布后，SK 海力士（000660. KRX）股价当日盘中一度上涨超 5%。

高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）垂直连接多个 DRAM，与现有的 DRAM 相比，能显著提升数据处理速度，目前已推出六代产品—— HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4。

据海力士介绍，相比前一代产品（HBM3E），新一代 HBM4 的数据传输通道（I/O）从 1024 条提升至 2048 条，带宽较之扩大一倍，与此同时，其 HBM4 实现了高达 10Gbps（每秒 10 千兆比特）以上的运行速度，这大幅超越 JEDEC 标准规定的 8Gbps（每秒 8 千兆比特）；另外，该产品能效提升 40%。这意味着，其 HBM4 不仅在单位时间内处理的数据量有了巨大提升，还可降低数据中心电力成本。

SK 海力士预测，将该产品引入客户系统后，AI 服务性能最高可提升 69%。这能让 AI 训练和推理更快、更高效。

SK 海力士在 HBM4 的开发过程中采用了自研的 MR-MUF 封装技术和第五代 10 纳米级（1b）DRAM 工艺，MR-MUF 工艺指在堆叠半导体芯片后，通过向芯片间隙注入液态保护材料并固化的方式保护层间电路，相较逐层堆叠芯片时铺设薄膜材料的传统方式，该工艺效率更高且散热效果优异。

SK 海力士副总裁、HBM 开发负责人赵柱焕（Kwon Eon-oh）表示，"HBM4 的开发将成为业界新的里程碑 "，并补充道，" 我们将及时提供满足客户要求的性能、能效、可靠性等产品，确保在 AI 内存市场的竞争优势，并实现快速上市。"

赵柱焕是 DRAM 领域的专家，于 2022 年将全球首创的下一代工艺 High-K Metal Gate ( HKMG ) 引入到移动 DRAM、LPDDR 中，提高了速度并降低了功耗消耗。2023 年，他晋升为 SK 海力士高管，承担起完成该公司 HBM 技术路线图的重任。

SK 海力士 AI Infra 部门总裁兼首席营销官金柱善（Kim Ju Seon）则明确表态："HBM4 是突破 AI 基础设施局限性的标志性转折点，SK 海力士将通过及时供应 AI 时代所需的最高品质和多样化性能内存，成长为一家全栈式 AI 内存提供商。"（小 K 注：SK 海力士 AI Infra 是该公司为专注人工智能领域成立的独立业务部门，主要负责 AI 半导体相关业务，包括新一代 HBM 芯片等人工智能技术的研发与市场拓展）

HBM 对于 AI 能（特别是大规模训练和推理）、高性能计算以及高端显卡至关重要，它能够极大缓解数据吞吐的瓶颈，让 GPU 等处理器高效运转。

目前高端 HBM 市场主要由三星、美光、海力士三大巨头主导，头部厂商在 HBM 上的竞争异常激烈。SK 海力士的 HBM 产品市场占有率位列第一，新品迭代上，此次 SK 海力士领先一步，但三星和美光也在积极跟进，两者均已经开发了 HBM4 产品，前者正在筹备样品生产，计划在 2025 年第四季度开始初期生产，目标是搭载于英伟达 2026 年推出的 Rubin AI GPU，正计划恢复建设平泽第五工厂，为下一代 HBM 准备产能，后者已推出 12 层堆叠 36GB HBM4 样品，进入客户验证阶段，计划 2026 年正式量产。