快科技 9 月 18 日消息，三星多年来是全球最大的 DRAM 内存供应商，也是最大的 NAND 闪存供应商，然而这两年来的发展并不太顺利。

内存芯片方面，从 DDR5 时代就开始被 SK 海力士逆袭，HBM 内存更是落后于 SK 海力士，以致于连续 2 个季度被 SK 海力士赶超，保持了二三十年的内存一哥让位了。

闪存方面，其他厂商现在都开始量产 300 层以上的 TLC、QLC 了，三星则被曝出 QLC 掉链子，其第九代 V9 闪存做到了 280 层堆栈，去年 4 月就开始量产，首批是 TLC 闪存，核心容量做到了 1Tb。

2024 年 9 月开始量产 V9 QLC 闪存了，但是被曝出有质量缺陷，性能、延迟都有问题，全面量产 V9 QLC 闪存至少推迟到了 2026 年上半年。

三星的旗舰级 QLC 闪存依然停留在 V7 这一代，V8 这一代也没有 QLC 类型闪存。

QLC 闪存容量更大，成本也更低一些，因此是 AI 时代最受欢迎的闪存，需求比 TLC 都要高，三星关键时候掉链子，对他们的营收和份额显然会很不利。

在 QLC 闪存方面，SK 海力士依然是当前的记录，8 月份宣布第一个量产 300+ 层的 QLC 闪存，达到了 321 层，并且已经开始量产，而且接口速度翻倍，写入性能还提升了 56%，读取性能也提升了 18%。