（全球 TMT2025 年 9 月 23 日讯）韩国 8 英寸纯晶圆代工厂 SK keyfoundry 宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 ( Thick IMD ) 电容工艺。该工艺支持堆叠最多三层 IMD，每层最大厚度达 6 微米，从而在金属 - 绝缘体 - 金属 ( MIM ) 结构中，总厚度最高可达到 18 微米。该工艺可提供高达 19,000V 的击穿电压特性及优异电容性能，预计将用于制造数字隔离用电容器，以及电子电路中抑制电容耦合的电容器。

采用此工艺制造的电容已成功通过主要客户的经时介电层击穿 ( TDDB ) 评估，并符合 AEC-Q100 国际汽车半导体质量标准。该工艺尤其可集成到 0.13 微米及 0.18 微米 BCD 工艺技术中，在汽车半导体领域具备极高的应用价值。此外，SK keyfoundry 还提供 PDK（工艺设计套件）、DRC（设计规则检查）、LPE（版图寄生参数提取）、LVS（版图与电路原理图一致性检查）及 Pcell（参数化单元）等设计支持工具，助力客户加速产品开发进程。