【CNMO 科技消息】根据市场研究机构 Counterpoint Research 发布的最新内存半导体数据，三星预计将在明年的高带宽内存（HBM）市场中实现超过 30% 的市场份额。虽然今年上半年三星在该领域表现不佳，落后于 SK 海力士和美国美光科技，但分析师预测，随着其下一代产品 HBM4 全面进入英伟达供应链，三星的销量将显著增长。

三星

数据显示，今年第二季度，SK 海力士以 62% 的市场份额领跑 HBM 市场，美光以 21% 位居第二，而三星电子则以 17% 的份额排名第三。这意味着全球每 10 个 HBM 产品中，有 8 个由韩国企业生产。Counterpoint 指出，虽然三星在第二季度的市场份额低于预期，但明年其份额将突破 30%，这主要得益于公司即将获得主要客户对 HBM3E 产品的认证，以及基于 HBM4 的出口能力提升。

三星 HBM4

据 CNMO 了解，三星已推出其 10 纳米级第六代（1c）DRAM 工艺，该工艺比 HBM4 领先一步，并与其 4 纳米晶圆代工工艺相结合。今年 7 月，公司使用 1c 纳米工艺完成了 HBM4 的开发，并向主要客户发送了样品，预计年底前实现大规模生产。据悉，三星开发的 HBM4 通过提高单元集成密度，将能效比前代产品提升 40%，数据处理速度达到 11Gbps。随着开发完成，公司近期还重启了平泽第五工厂（P5）的建设，以实施 " 规模经济 " 战略。

Counterpoint 预计，当 HBM4 发布时，韩国企业在 HBM 市场的主导地位将进一步巩固。目前，领先的 SK 海力士已完成 HBM4 开发，并建立了大规模生产体系。如果通过质量测试，该产品有望被纳入英伟达下一代人工智能（AI）图形处理单元（GPU）Rubin 的供应链，后者计划于明年年底量产。韩媒指出，中国企业正试图通过开发 HBM 产品追赶技术差距，但由于技术难度较高，尚未能实现有效落地。