" 一天几个价 "、" 暴涨快过黄金 "，一场由 AI 引爆的存储芯片涨价风暴正在席卷全球。过去半年，全球存储芯片价格持续上涨，最近一个月，涨价消息更是越发密集。

归因来看，这一轮周期的核心驱动力来自 AI 服务器——它们以惊人的存储需求改写着行业规则。然而，繁荣背后暗藏危机：HBM 制造工艺复杂，挤占了传统存储芯片的产能，导致供需结构性失衡。一边是 AI 市场如火如荼，另一边消费电子领域却陷入短缺，价格倒挂、现货市场飙涨等现象频现。这场由技术变革引发的产业链震荡，将如何重塑全球存储生态？机遇与挑战又隐藏于何处？

AI 服务器大幅提升需求，结构性失衡特征明显

与以往的景气周期不同，此次存储芯片市场的上行周期，其核心推手并非以往的个人消费电子，而是 AI 服务器。这背后是 AI 大模型训练和推理所带来的前所未有的存储需求，改写了存储行业的周期逻辑。

具体来看，AI 服务器对存储芯片的需求呈现 " 量价齐升 " 的特点。在数量上，单台 AI 服务器的 DRAM 用量约为传统服务器的 8 倍，NAND Flash 用量也达到传统服务器的 3 倍。更重要的是质的飞跃。AI 模型参数高达万亿级别，训练时需要海量数据并行处理，传统内存的数据传输速度已成为制约算力释放的瓶颈，即 " 内存墙 " 问题。为此而生的高带宽内存 ( HBM ) 通过将多个 DRAM 芯片垂直堆叠，提供了数倍于传统内存的传输速度，成为英伟达等 AI 芯片巨头的标配。

然而，HBM 的制造过程复杂且昂贵，其消耗的晶圆产能是标准 DRAM 的三倍以上，这直接挤占了传统 DRAM 的产能，加剧了整体市场的供应紧张。也导致了 " 一端过热、一端过冷 " 的结构性矛盾：AI 市场热火朝天，而消费电子市场却陷入供应短缺。并且这种供需的结构性错配，在价格上还引发了罕见的现象。由于产能被 HBM 持续侵蚀，传统 DRAM ( 如 DDR4 ) 的供应日趋紧张，其价格涨幅甚至一度超过了更先进的 DDR5，出现了价格倒挂。现货市场上，服务器内存条价格飙升至过去的数倍，并最终传导至消费端，使得固态硬盘、内存条等产品价格持续看涨。

这一系列变化也正在重构整个供应链的生态。大型云服务商凭借其规模优势，提前锁定了原厂的大部分产能，这使得中小型企业被迫在现货市场上争夺所剩无几的资源，处境艰难。同时，终端厂商如 PC 品牌，也开始考虑在未来产品中减少内存配置以控制成本，或寻求其他技术方案来应对这场持续的供应紧张。

行业成长性与周期性兼具，2027 年或是关键节点

而这种失衡暴露了供应链的脆弱性与存储芯片市场本身的不确定性。即始终在 " 高成长 " 与 " 强周期 " 中摇摆。

从产品本身看，存储芯片是难能可贵的科技类大宗商品，有标准化、大市场及强周期的显著特点，不仅依赖高额资本开支、而且对下游需求非常敏感。回顾存储芯片的几轮周期，价格走势往往大起大落，被业内戏称为 " 要么数钱数到手抽筋，要么亏钱亏到心发慌 "。而这种剧烈波动的根源在于供给和需求在时间上的错配。建设一座新的晶圆厂动辄需要上百亿美元和两三年时间，一旦市场需求爆发，供给无法快速响应，导致价格飙升。当各大厂商产能集中释放时，又极易导致供过于求，价格随之下跌。

总结起来就是：价格暴涨 → 厂商巨额盈利并疯狂扩产 → 产能过剩 → 价格暴跌 → 厂商亏损并削减资本开支 → 供需逐渐平衡 → 下一轮涨价开始。资本开支的 " 时滞效应 " 与产品的 " 同质化 "，不断放大这一循环，使其周期性尤为强大。

在此背景下，寻找行业供需平衡点尤为重要。摩根士丹利则预测，存储行业在 AI 驱动下开启 " 超级周期 "，2025 年全球存储收入有望达 2000 亿美元。摩根大通表示，" 内存饥渴 " 趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段，DRAM 市场正迎来一个从 2024 年持续至 2027 年的 " 前所未有的四年定价上行周期 "，预计到 2027 年，全球存储市场规模将达到近 3000 亿美元。

产业链机会在哪里

也正是由于行业周期性与成长性的双重特征，为存储芯片市场带来了不确定性，但也孕育着新的机遇。摩根士丹利等机构对 2027 年市场的乐观预测，不仅反映了 AI 需求的长期潜力，更暗示了产业链各环节的价值重估。

东方财富证券指出从需求侧看，随着大模型持续推出，对于 DRAM、NAND 的需求将大幅提升。供给侧看，明年随着长江存储新产品和长鑫的 HBM3 等最新产品逐渐突破，叠加数据中心对于 SSD 及 HBM 需求快速提升导致供需错配，激发了长存及长鑫扩产动能。判断明年有望是两存扩产大年，建议重点关注国产存力产业链的整体机会： NAND&DRAM 半导体 ( 长存相关 ) 产业链：中微公司、拓荆科技、安集科技、京仪装备、中科飞测、芯源微； 长鑫 &HBM 存储芯片产业链：北方华创、兆易创新、精智达、上海新阳、雅克科技、百傲化学、德明利、江波龙、香农芯创。

开源证券则认为从工艺层面而言，存储扩产将会显著带动刻蚀与薄膜设备需求。刻蚀设备：北方华创、中微公司；薄膜沉积设备：拓荆科技、北方华创、微导纳米、迈为股份等；过程控制设备：中科飞测、精测电子等；后道设备：长川科技、精智达、矽电股份等。

结语：在高成长的同时别忘了强周期

最后纵观本轮存储芯片的超级周期，AI 无疑扮演了颠覆性的角色。它既推动了 HBM 等高端技术的快速迭代，也暴露了产业链中供需错配、资源争夺等深层次矛盾。从市场格局看，大型云服务商凭借规模优势抢占产能，中小企业的生存空间受到挤压；而从技术演进看，高带宽、高容量存储产品正逐步成为算力时代的核心基础设施。

尽管摩根士丹利等机构预测，到 2027 年全球存储市场规模有望突破 3000 亿美元，但这一增长路径并非坦途——晶圆厂建设周期长、资本投入巨大，行业仍将延续 " 高成长 " 与 " 强周期 " 并存的特征。对国内产业链而言，长江存储、长鑫存储等企业在 HBM 和先进存储领域的突破，或许将成为打破国际垄断、实现自主可控的关键。未来，随着 AI 应用场景的持续深化，存储芯片的需求结构、技术路线与竞争逻辑还将进一步重构。只有紧跟技术趋势、优化产能布局的企业，才能在这场存储变革中占据先机。