快科技 11 月 25 日消息，近日，长鑫存储在 IC China 2025（中国国际半导体博览会）上，正式发布最新的 DDR5 和 LPDDR5X 产品，挑战韩美先进存储大厂。

据长鑫介绍，最新 DDR5 系列最高速率达 8000Mbps，最高颗粒容量 24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

此外，长鑫还展示了上个月已经发布的 LPDDR5X 产品。该系列针移动市场旗舰产品，最高速率 10667Mbps，最高颗粒容量 16Gb，并涵盖 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多种封装解决方案。

今年稍早时，市场曾出现由中国企业生产的少量 DDR5 内存，但这次是长鑫存储作为代表，首度正式展示实际产品。

半导体产业指出，长鑫存储展示内存性能值得关注，其 DDR5 最大速度 8000Mbps，比上一代产品（6400 Mbps）提升 25%，在技术路线上至少已追上韩国公司。 业界人士认为，长鑫存储的性能足以应用于搭载最先进 CPU 的服务器。

根据韩媒 Business Korea 引述日经及研调机构 Counterpoint Research 的数据，长鑫存储第三季 DRAM 市占率达 8%，排名第四。 在 NAND 部分，长江存储第三季度市占率为 13%。

由于美国封锁 EUV 等关键设备出口中国，使得中国扩张脚步放缓，但与韩国在通用 DRAM 市场的技术差距约不到一年。

韩媒认为，随着 2030 年迎来 3D DRAM 时代，竞争关系可能又会出现变数。3D DRAM 是将内存单元向上堆叠的产品，当 3D DRAM 时代来临时，对 EUV 光刻设备的需求将下降，这可能成为中国企业超车的机会。

首尔大学材料科学与工程系 Hwang Cheol-seong 教授表示，单看内存技术水平，韩国与中国的差距几乎已经消失。 当不需要 EUV 光刻设备的 3D DRAM 时代在五年后到来时，中国将进一步崛起。