快科技 11 月 28 日消息，据媒体报道，三星电子近期对其高带宽存储器（HBM）开发团队进行了组织调整，撤销原隶属于半导体业务 DS 部门下的 HBM 开发团队，相关人员整体并入 DRAM 开发室。这一变动引发市场对三星 HBM 业务推进节奏与内部协同效率的关注。

在调整安排上，原 HBM 团队成员将转入 DRAM 开发室下属的设计团队，继续负责下一代 HBM 产品与技术研发。此前主导 HBM 团队的孙永洙被任命为设计团队负责人，统筹相关项目推进。

接下来，团队将聚焦 HBM4、HBM4E 等新产品的设计优化与工艺验证。三星预计本周完成组织调整，并于下月初召开全球战略会议，审议明年业务规划。

业务方面，三星近年来持续加大 HBM 领域投入，已与英伟达、AMD、OpenAI、博通等多家科技企业建立合作。公司以 HBM3 与 HBM3E 的量产经验为基础，持续提升堆叠封装、带宽、能效及可靠性等核心能力。韩国媒体分析认为，将 HBM 开发整合进 DRAM 体系，有助于在制程演进、设计验证与量产导入环节形成更紧密的协同。

从市场竞争来看，三星在今年第二季度全球 HBM 市场中的排名曾下滑至第三，面临阶段性竞争压力。公司预计，随着 HBM4 供应规模逐步扩大，其市场份额有望自明年起回升。

据 TrendForce 预测，到 2026 年，三星在全球 HBM 市场的占有率有望突破 30%，这也为其强化先进存储布局提供了信心支撑。

行业观察人士指出，HBM 作为支撑人工智能训练、推理及高性能计算的关键存储部件，已成为存储厂商竞相布局的战略要地。三星通过将 HBM 团队整合至 DRAM 开发体系，有望提升资源统筹与技术迭代效率，增强在高端存储市场的竞争力。