12 月 6 日至 10 日，全球半导体器件领域的顶级学术盛会——国际电子元件会议（IEDM）将于美国旧金山召开。在早前公布的 2025 年 IEDM 论文入选名单中，北京大学以 21 篇入选论文连续五年位居全球高校榜首；而在产业界，国内 DRAM 龙头企业长鑫存储表现同样瞩目，凭借 "3D FeRAM" 与 " 后端工艺集成的多层堆叠 DRAM 架构 " 两项突破性研究成果成功入选，论文数量位列国内企业第一。

IEDM 始于 1955 年，素有半导体界的 " 奥林匹克 " 之称，在学术与产业层面均具重大影响力。会议涵盖 CMOS 晶体管、先进存储器、传感器等多个前沿方向，是全球半导体技术演进的重要风向标。

长鑫存储本次入选的成果之一，为基于单片集成堆叠式铁电电容的 3D FeRAM 方案。该结构利用铁电材料的非易失特性，在单元层面实现数据断电保存，并结合三维堆叠工艺显著提升存储密度，具备接近 DRAM 的读写速度与近似 NAND 的低功耗特性，被视为极具潜力的新型存储路径。

另一项突破，为全球首个 BEOL（后端工艺）集成的多层 DRAM 架构。该技术基于 IGZO 沟道晶体管实现，已在性能与可靠性优化方面取得关键进展，为未来 DRAM 的性能拓展提供了新的发展方向。

扎实的研发积累持续赋能产品演进。目前，长鑫存储已构建起涵盖 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5 及 LPDDR5X 的完整产品体系。

今年 10 月，公司推出 LPDDR5X 系列产品，提供 12Gb/16Gb 容量选项，最高速率达 10667Mbps，跻身国际主流水平。与上一代 LPDDR5 相比，其速率提升 66%，功耗降低 30%，并可实现兼容替代。据悉，长鑫正研发 0.58mm 超薄 LPDDR5X 芯片，未来成功量产后有望成为全球最薄的 DRAM 产品。

在标准内存领域，长鑫存储于 11 月 23 日发布新一代 DDR5 产品，最高速率达 8000Mbps，最大颗粒容量 24Gb，并同步推出 UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM 等七大模组类型，全面覆盖服务器、工作站与个人电脑等应用场景，展现出与国际一线厂商同台竞技的技术实力。

市场研究机构 Counterpoint 预测，2026 年主要芯片厂商的 DRAM 产量增幅将超过 20%。其研究总监 MS Hwang 指出：" 长鑫存储有望带来超预期表现。" 公开信息显示，长鑫存储已于今年 10 月通过上市辅导验收。分析认为，其多元化产品线与本土化深耕的积淀，将助力公司充分把握行业增长机遇，在资本市场持续释放价值。