【CNMO 科技消息】近日，据外媒报道，华为技术有限公司提交了一份专利，详细阐述了仅使用深紫外（DUV）光刻工具生产 2 纳米级芯片的路径。尽管面临广泛的西方出口管制，无法获得阿斯麦（ASML）的极紫外（EUV）光刻机，但 DUV 设备仍在华为的获取范围内。

这份最初于 2022 年提交、近期才公开的专利，由资深半导体研究员陈博士（Dr. Frederick Chen）发现。其中描述了一种复杂的多重图案化技术，据称可使华为及其制造合作伙伴中芯国际（SMIC）实现 21 纳米的超小金属间距——这是一个关键尺寸指标，能达到与台积电和三星正筹备的 "2 纳米级 " 制程相当的水平，而后两者都严重依赖 EUV 光刻技术。

华为方法的核心在于一种经过优化的自对准四重图案化（SAQP）流程。据报道，该流程将所需的 DUV 曝光次数减少至仅四次，这相比传统的多重图案化方案是一个显著改进，后者通常需要更多次曝光并导致工艺复杂性急剧上升。

通过将现有的 DUV 基础设施推向极限，该公司旨在直接从其最新展示的麒麟 9030（基于中芯国际 N+3 节点制造）跨越到未来的 2 纳米级产品，而无需触碰受限制的 EUV 设备。

然而，业界观察人士对此持谨慎态度。即使技术在实验室中被证明可行，这种采用激进图案化 DUV 工艺的商业可行性仍广受质疑。在此等尺寸下进行四重图案化，很可能以良率低下、缺陷率高和成本极其昂贵而闻名，而单次曝光的 EUV 则避免了这些问题，这也正是其他先进芯片行业在 3 纳米及以下节点已转向这项新技术的原因。