快科技 12 月 6 日消息，在先进工艺发展路线中，5nm 以下节点都转向了 EUV 工艺，DUV 光刻微缩到 7nm 就已经很难，但这显然不是国内发展的极限，未来可能一路做到 2nm 级别。

国内的半导体工艺在未来几年中需要在无 EUV 的情况下发展，但是即便不考虑外部制裁的影响，追求 DUV 光刻工艺极限也是需要发展的，国内也早就在做这些研究。

集邦科技科技日前的报道也旧事重提，指出华为早在 2021 年就发表了相关研究论文，提交的专利申请介绍了 SAQP（自对准四重图案化）的技术，在没有 EUV 光刻机的情况下也能做到 2nm 级工艺。

该专利使用 DUV 光刻机及 SAQP 做出的芯片栅极距低于 21nm，这正是 2nm 工艺的门槛水平。

这里需要强调的是，很多报道中把 SAQP 翻译成了四重光刻，这是错误的，四重图案不等于四重光刻，这两个意思有天渊之别，四重光刻不论技术上还是成本上都是不可接受的，几乎没有可能性。

此外，2nm 工艺也不是华为等机构的终点，华为还申请了大量 GAA 环绕栅极晶体管以及 CFET 互补氧化物晶体管相关的专利，后者则是公认的 1nm 以下到 0.1nm 节点的关键技术之一。

以上提及的主要是技术专利，不等于这些技术马上就能量产，但是这些技术研究证明了国内在先进工艺上的探索不仅不会停止，而且会走出不一样的路线。

这不仅会让国内的芯片不再受外部制裁的影响，更重要的是当国内用 DUV 路线做出 2nm 芯片时，台积电、三星、Intel 等公司用昂贵的 EUV 甚至 High NA EUV 光刻机生产芯片，哪边会更怕竞争力不足呢？