中国功率半导体，逆袭！

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近日，全球半导体巨头安森美（onsemi）宣布与英诺赛科达成深度合作，双方将依托英诺赛科领先的 8 英寸硅基 GaN 工艺平台，联合开发下一代高效功率器件；而早在今年 8 月，英诺赛科已作为唯一中国芯片企业，跻身英伟达 800V 直流电源架构合作伙伴名录，为其 AI 数据中心提供全链路氮化镓解决方案，助力单机柜功率密度突破 300kW。

国际巨头争相与中国技术领军者牵手，预示着一场深刻的产业变局正在上演。

从被动跟随到被主动选择，从技术依赖到反向赋能，近年来发生的行业热点与产业动态，共同指向了一个无可争议的趋势：在支撑新能源汽车、光伏储能、AI 数据中心等未来产业的核心硬件——功率半导体赛道上，中国企业正以前所未有的速度和力度完成 " 逆袭 "，从全球产业的边缘走向舞台中央。

回顾过往，过去几十年来，中国半导体产业长期深陷高端依赖进口、核心技术缺失的困境，功率半导体领域尤为突出，关键器件的供应长期被国际巨头把持，产业发展受制于人。

然而，近年来，随着全球贸易格局演变，叠加国内自主可控战略与国产替代浪潮的深入推进，中国半导体行业迎来加速突破的关键期，在多个细分赛道实现突破。其中，功率半导体作为支撑众多战略性新兴产业的核心器件，成为中国半导体产业逆袭的先锋赛道。

英诺赛科的故事或许只是产业崛起的一个缩影。

放眼整个产业，全球功率半导体巨头们正以前所未有的广度与深度，与中国企业展开从联合研发、产能共建到供应链绑定的全方位合作。与此同时，一批本土功率半导体企业也在加速崛起，致力于构建起自主可控的产业生态。

那么，这场逆袭因何发生？背后藏着怎样的核心逻辑？中国功率半导体已经行至何处？从 " 并跑 " 到 " 领跑 " 的路上，又有哪些挑战与机遇？

带着这些追问，我们通过梳理关键合作、分析产业现状与突围逻辑，试图解读这场正在发生的产业变革。

巨头 " 抢滩 "，释放变局信号

全球功率半导体巨头的合作选择，成为中国产业实力最直接的背书。

近日，在氮化镓（GaN）领域，安森美与 GaN 龙头英诺赛科达成深度合作，核心是依托英诺赛科成熟的 8 英寸硅基 GaN 工艺平台，重点聚焦 40-200V 中低压功率器件领域，联合开发面向工业、汽车、电信基础设施、消费电子和 AI 数据中心等市场的高效功率器件，拓展中低压 GaN 功率器件的市场规模。

而安森美则输出其在系统集成、驱动器及封装领域的深厚积累，双方形成技术与产能的互补。通过此次合作将建立高产能、成本优化的全球 GaN 制造体系，加速高能效功率器件的市场部署。英诺赛科也将成功借助安森美的全球车规认证渠道与客户资源，实现从消费电子快充领域向汽车等高端市场的跨越，双方联合打造的高性价比 GaN 解决方案，还覆盖工业机器人电机驱动器、AI 数据中心 DC-DC 转换器等多元场景。

据市场预测，预计到 2030 年，GaN 将在全球功率半导体市场占据约 29 亿美元（11%）的份额，2024-2030 年期间复合年增长率预计达 42%。在此背景和趋势下，安森美计划于 2026 年上半年推出相关样品，实现互利共赢的同时加速全球 GaN 技术普及。

相较于安森美与英诺赛科的合作，意法半导体（ST）与三安光电的合作则更进一步，双方不仅达成核心技术协作，更携手共建碳化硅制造工厂，规划年产能达数十万片。

2023 年 6 月，重庆三安意法半导体碳化硅项目签约落户重庆。据介绍，这家由三安光电和 ST 共同成立的 8 英寸碳化硅（SiC）功率器件合资制造厂采用 ST 专有的碳化硅制造工艺技术，并作为 ST 的专用代工厂，支持其中国客户的需求。根据规划，合资厂全面落成后预计总投资约为 230 亿元人民币，届时将成为国内首条 8 英寸车规级碳化硅功率器件规模化量产线。

在过去一年多里，建设也按照原计划稳步推进：2024 年 11 月底达到 " 点亮 " 条件，2025 年 2 月 27 日贯通（通线）。按照预期规划，该合资厂将在 2025 年第四季度投产，预计 2028 年达产，届时将能更好地满足中国新能源汽车行业、工业电源和能源等应用需求。

作为国内首条 8 英寸车规级 SiC 功率芯片规模化量产线，该项目体现了意法半导体对中国产业链的认可。在安意法碳化硅晶圆合资制造厂的加持下，结合三安 SiC 衬底制造厂，及扩建中的 ST 后道封装测试产能，ST 将形成完整的本地化 8 英寸碳化硅供应链，在确保高质量标准的同时，通过提高生产效率和优化物流，为本土厂商提供高性价比 SiC 产品和定制化方案。

在国内形成了从衬底 - 外延 - 晶圆 - 封装的 8 英寸碳化硅全环节产业链，有助于国内相关产业提高供应链韧性。这也进一步标志着全球 SiC 高端制造版图的重心正在向中国倾斜，极大提升了中国在 SiC 产业链中的地位。

英飞凌则将合作触角延伸至上游材料环节，2023 年与国内碳化硅衬底双雄天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得更多具有竞争力的碳化硅来源。

根据协议，天岳先进将为英飞凌供应用于制造 SiC 半导体的高质量并且有竞争力的 150mm SiC 衬底和晶棒；天科合达将为英飞凌供应用于制造 SiC 半导体产品的高质量并且有竞争力的 150mm SiC 晶圆和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。第一阶段都侧重于 150mm SiC 材料，未来也将提供 200mm 直径碳化硅材料，助力英飞凌向 200mm 直径晶圆的过渡。

依托国内企业在大尺寸 SiC 衬底材料领域的技术突破，不仅保障了英飞凌全球范围内核心器件生产的原材料稳定供应，形成 " 国内高端材料 + 国际先进制造 " 的互补共赢格局，这一合作模式也进一步印证了中国在 SiC 领域的全球竞争力。

此外，还有更多国际企业纷纷加码与中国厂商的合作，形成全球资源向中国产业集聚的态势。日本罗姆（ROHM）与天科合达于 2023 年正式签署长期战略协作协议，聚焦碳化硅衬底的性能升级与成本优化，罗姆将天科合达的 6 英寸导电型碳化硅衬底纳入其供应链体系，用于支持其车规级 SiC 器件的生产，天科合达已成为其重要的衬底供应商之一。

松下与比亚迪于 2024 年启动氮化镓功率器件联合研发项目，双方针对新能源汽车高压快充等场景，联合开发基于 GaN 技术的高效、高功率密度电源模块，以提升整车充电性能。

荷兰恩智浦（NXP）与斯达半导在车规级 IGBT 和功率模块领域深化合作，借助恩智浦的国际市场经验与渠道，共同推动符合全球标准的产品开发与市场准入，助力斯达半导加速拓展海外高端汽车客户群。

值得一提的是，日本半导体巨头东芝也曾与天岳先进签署合作协议，计划在 SiC 功率半导体技术协作、衬底供应等领域开展深度合作。尽管该合作因外部非商业因素很快终止，这一短暂的合作插曲虽未达成实质成果，却从侧面印证了中国企业在 SiC 领域的技术领先性，已获得国际顶尖巨头的认可。即便面临阻力，国际巨头仍在积极寻求与中国企业的技术对接，中国功率半导体的产业优势已难以忽视。

能够看到，在以 SiC、GaN 为核心的第三代半导体与功率半导体领域，国际巨头与国内厂商的合作愈发深入且维度不断拓展。从最初的技术授权、产品分销，逐步升级为联合研发、产能共建、供应链绑定等深度协作模式，这一变化成为中国功率半导体产业崛起的重要佐证。

国际半导体巨头的主动牵手，本质上是对中国企业在核心技术突破、产能规模扩张、产业生态完善及市场潜力释放等方面综合实力的高度认可，一系列标志性合作案例清晰勾勒出中国功率半导体的崛起路径。

除此之外，芯联集成、士兰微、杨杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业也正加速崛起，在功率器件设计、制造、封装测试等环节逐渐实现突破，凭借高性价比的产品、快速的市场响应能力，逐步抢占国内外市场份额，成为中国功率半导体逆袭的核心力量。

这也标志着中国功率半导体产业已从点的突破，走向以 IDM 与专业化分工相结合的全面生态构建，自我造血能力不断增强。

综合来看，本土企业群体的强势崛起，与国际合作交相辉映，构成了中国功率半导体逆袭的核心力量。

逆袭密码——市场、赛道与生态的三重奏

站在当下，回看今日的中国功率半导体产业，已从昔日的追赶者，成长为全球市场上有力的竞争者。

据行业数据显示，2024 年中国功率半导体器件行业市场规模达 1057.75 亿元，持续稳居全球最大消费市场地位，展现出强劲发展韧性，国产化率持续攀升。

据业内人士表示，中低端功率器件如二极管、三极管国产化率已超 80%，在照明、家电等传统市场占据主导；今年国内 SiC 厂商的市占率有望同比增加 10~15 个百分点，至今年年底国产化率最高可达 20%，并有望在未来 3~5 年突破 50%。

技术水平上，中国企业也已实现关键突破，在 SiC 衬底、外延片与国际同步发展，部分产品实现局部领跑。

以 SiC 外延片为例，2024 年天域半导体在中国碳化硅外延片市场的收入和销量均排名第一，市场占有率分别达到 30.6% 和 32.5%，在全球市场分别为 6.7% 及 7.8%，位列前三。更重要的是，天域半导体的产品已进入欧美、日韩等国际领先 IDM 的供应链体系，获得了国际客户的批量采购认可，彰显了在全球市场的话语权。

英诺赛科也是全球首家实现 8 英寸 GaN 晶圆量产的企业，技术、良率与产能优势显著。据最新数据‌显示，英诺赛科在 2024 年的全球市场占有率已突破‌ 42.4% ‌，累计出货量超过 20 亿颗芯片，远超同行。‌

2025 年 8 月，英诺赛科作为名单中唯一的中国芯片企业，成功打入英伟达 800V 直流电源架构供应链，将为英伟达 Kyber 机架系统提供全链路 GaN 电源解决方案。此次合作标志着英诺赛科的技术实力和市场地位得到国际认可，也进一步预示着中国芯片企业在全球 AI 基础设施领域的影响力进一步提升。

在标准制定方面，中国企业也正从追随者向参与者转变，英诺赛科参与起草 IEEE 氮化镓器件测试规范，天岳先进主导碳化硅衬底行业标准等，行业话语权逐步提升。

这一系列数据背后，是中国功率半导体产业从技术、市场到生态的全方位逆袭。然而，该领域的快速崛起，并非偶然，而是多重因素共同作用的结果。

1）首先，庞大市场的需求牵引是核心动力。中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G 通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速理解客户需求、迭代优化产品、扩大产能，完成技术升级。

2）赛道机遇的精准把握至关重要。第三代半导体产业起步较晚，全球企业基本处于同一起跑线，让中国企业得以避开了传统硅基半导体领域巨大的专利壁垒和生态鸿沟，获得了宝贵的 " 换道超车 " 机会。不同于传统硅基半导体对先进制程的依赖，第三代半导体更注重材料特性与应用场景的匹配，中国企业在这一领域的技术差距仅为 1-3 年，为追赶创造了有利条件。

3）政策与生态的双重保障提供助力。从国家战略的顶层设计到产业集群的协同发展，形成了强大支撑。使得产业链协同效应凸显，已形成覆盖 " 衬底材料 - 芯片设计 - 晶圆制造 - 封装测试 - 系统应用 " 的完整产业链，高效协同显著降低了创新与制造成本的同时，本土企业相互赋能，进一步打造出了自主可控的产业生态，降低了对海外供应链的依赖。

逆袭之势不仅限于本土市场，更体现在中国功率半导体企业主动出击、嵌入全球价值链的出海征程中。随着国内产业实力的提升，中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，从 " 引进来 " 转向 " 走出去 "，开启全球化布局的新篇章。

例如扬杰科技采用 " 自有品牌 + 收购品牌 " 的双品牌战略，并在越南建设封装基地，成功开拓欧美市场；宁波奥拉半导体将自主研发的多相电源技术授权给国际巨头安森美，实现了从技术引进到输出的历史性转变；天岳先进实现 "A+H" 双上市，募资用于海外产能扩张和市场拓展，境外营收占比已达 47.53%...

这股出海浪潮，标志着中国功率半导体产业已从满足国内替代需求的 " 内向型 " 发展，进入主动参与全球竞争、整合全球资源的 " 外向型 " 新阶段，真正开始在高端价值链上展现竞争力。

从 " 逆袭 " 到 " 领跑 " 的机遇与挑战

功率半导体的崛起，是中国半导体产业迈向自主可控的生动缩影。

从国内市场的替代突破，到国际巨头的合作抢滩；从本土企业的群体崛起，到全球市场的份额提升，中国功率半导体用短短数年时间实现了产业能级的大幅提升，已实现从 " 跟跑 " 到 " 并跑 " 的跨越，部分领域进入 " 局部领跑 " 阶段。

展望未来，战场已从逆袭转向领跑，机遇与挑战并存。全球能源革命催生广阔市场，为中国企业凭借技术与产能优势开疆拓土提供了舞台；但同时，国际技术保护主义抬头，关键制造设备与材料仍存在 " 卡脖子 " 风险，产业整体虽大却有待更强，市场竞争也愈发激烈，国际巨头正全力巩固其优势地位。

然而，产业向上的基础已然坚实。庞大的内需市场提供了战略纵深，完整的产业链形成了集群优势，持续的高强度研发投入正在啃下一个个技术硬骨头。未来的竞争，将是技术耐力、生态构建能力和全球运营能力的综合比拼。

站在新的发展起点，中国功率半导体企业需以技术创新为核心，以全球化布局为路径，以产业链协同为支撑，在碳化硅、氮化镓等关键领域持续突破，从规模替代向价值引领转型。相信随着产业生态的不断完善、核心技术的持续精进，中国功率半导体将在这场波澜壮阔的产业变革中实现新的蜕变，为中国半导体产业的全面崛起奠定坚实基础。

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