快科技 12 月 19 日消息，光刻机，似乎是中国在高科技领域的最后一个拦路虎了！

据外媒报道，中国一家秘密实验室已经悄然组装出第一台 EUV 极紫外光刻系统的原型机，是通过逆向工程 ASML 现有的光刻机产品而来的，正处于秘密测试阶段，计划 2028 年试产原型芯片。

如果消息属实，无疑是中国的一次飞跃式突破，短短数年就掌握了原本需要数十年的技术。

消息称，这一 EUV 光刻机原型是 2025 年初在深圳一处安保严密的设施内组装完成的，几乎覆盖了整个厂房。

它没有采用清华大学研发的基于粒子加速器的稳态微聚束 ( SSMB ) 技术，也没有使用哈尔滨工业大学开发的放电等离子体 ( DPP ) 技术，而是和 ASML Twinscan NXE 系列光刻机相同的激光等离子体 ( LPP ) 技术，可产生波长为 13.5 纳米的极紫外光。

外媒称，这说明它使用了逆向工程手段，至少整合了大量由 ASML 首创的核心技术。

ASML LPP 技术原理如下：

首先将直径约 25-30 微米的熔融锡液滴，以每秒约 5 万个的速度，注入真空腔体内。

随后，一台高功率二氧化碳激光器，向每个液滴发射一束低强度预脉冲激光，将液滴压平成圆盘状。

紧接着再发射一束能量更强的主脉冲激光，将被压平的锡靶汽化，形成温度超过 20 万摄氏度的超高温等离子体。

这种等离子体可发射出各向同性的极紫外光，随后由大型多层膜收集镜收集，并导入光刻机的反射光学系统，最终完成对硅晶圆的光刻成像。

这一过程每秒可重复数万次。

报道指出，中国版 EUV 光刻机的体积显著大于 ASML 同类产品，但已经具备极紫外光的生成能力，只是尚未能制造出可用芯片。

关键瓶颈在于，中国仍无法复刻出 ASML 的高精度光学系统，甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上，更谈不上完成光刻成像。

同时，极紫外光源的功率指标也不清楚，这是决定光刻机能否实现量产的核心参数。

此外，超高精度收集镜系统、照明光学系统、投影光学系统、晶圆存储系统、晶圆台、掩模台等光刻机核心部件的研发进度，也均属未知。

报道提到，中国 EUV 光刻机的研发团队由前 ASML 工程师和应届大学毕业生组成，不仅聘请了 ASML 中国分公司的前员工，还吸纳了 ASML 在美国、欧洲、中国台湾的前雇员。

比如曾负责 ASML EUV 光源技术的林楠，目前在中科院上海光学精密机械研究所带领团队开展研发，在短短 18 个月内就申请了 8 项 EUV 相关专利。

报道还强调，为了保密，团队普遍都是用了假身份。

据说团队的规划是希望能在 2028 年，也就是未来两三年内，产出首批芯片原型，但外媒认为 2030 年才是更现实的时间节点。

需要明确的是，高端光刻机的研发，离不开精密光源、先进光学、超高精度机械、复杂控制软件、特种材料等多个领域技术的深度集成，而且所有系统都必须在纳米级公差范围内稳定、长期运行。

EUV 光刻机更是极为庞杂，包含超过 10 万个零部件，对其进行逆向复刻的难度堪比登天，需要几百名具备专业知识的工程师协同攻关，也不一定能成功。

ASML 在看到报道后也声明称：" 想要复刻我们的技术，这一想法可以理解，但真正付诸实践绝非易事。"

综合来看，外媒的报道往往存在大量误导甚至错误信息，大家看看就好。