12 月 19 日，安森美半导体今日宣布与格罗方德半导体（GF）签署合作协议，将采用 GF 先进的 200 毫米 eMode 氮化镓硅基工艺开发并制造先进氮化镓（GaN）功率产品，首款产品为 650V 器件。

图片来源：安森美半导体

此次合作将加速安森美半导体高性能 GaN 器件及集成功率级产品路线图的推进，通过扩展高压产品组合满足人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防和安全领域日益增长的功率需求。

安森美半导体企业战略高级副总裁迪内什 · 拉马纳森（Dinesh Ramanathan）表示，此次合作融合了安森美半导体的系统与产品专长及格罗方德的先进 GaN 工艺，将为高增长市场提供新型 650V 功率器件。

值得一提的是，配合安森美半导体硅基驱动器和控制器，这些氮化镓产品将助力客户创新开发更小巧、更高效的电源系统，应用于人工智能数据中心、电动汽车、航天领域等。信息显示，合作产品计划于 2026 年上半年开始向客户提供样品，并快速实现量产。

格罗方德首席商务官 Mike Hogan 则表示，过整合双方 200 毫米 GaN-on-Si 平台与美国本土制造能力，结合安森美深厚的系统与产品专业知识，双方正加速推进高效能解决方案，并为数据中心、汽车、工业、航空航天与国防等关键市场构建韧性供应链。

随着电动车与生成式 AI 算力持续飙升，650V GaN 器件被视为替代传统硅 MOSFET 的关键技术。行业分析指出，安森美与格罗方德的联手不仅丰富了后者的差异化工艺组合，也令安森美形成从低压横向 GaN 到超高压垂直 GaN 的全谱系布局，为 2026 年新一轮功率电子竞赛占得先机。