快科技 12 月 22 日消息，据报道，韩国两大存储芯片巨头三星与 SK 海力士正加快内存生产，以应对来自 AI 的需求。

报道称，三星电子近期不仅提升了韩国国内 DRAM 和 NAND 闪存的产线利用率，更重点扩大了高带宽内存（HBM）等高端产品的产出。

另外三星在 11 月决定平泽五厂恢复施工，预定 2028 年开始量产，以强化该公司的满足先进存储芯片需求的能力。

至于 SK 海力士，其位于清州的 M15X 新厂正紧锣密鼓准备投产，该厂将聚焦于 DRAM 和其他 AI 导向的存储产品。

业界高层表示，SK 海力士正试图赶在原定的 2027 年前，完成位于龙仁半导体园区内的首座晶圆厂，该设施规模相当于六座 M15X 晶圆厂。

由于 AI 相关需求预期在未来几年持续激增，产能被视为竞争力的关键决定因素，根据 Omdia 的数据，全球 DRAM 市场规模预计在 2026 年前达到 1700 亿美元，高于 2024 年的 1000 亿美元。