【CNMO 科技消息】近日，据韩媒报道，SK 海力士已将位于韩国清州的 M15X 新工厂（被誉为 "HBM4 专用工厂 "）的量产时间表大幅提前 4 个月，计划于明年 2 月开始投入用于 HBM4 的 1b 纳米制程 DRAM 量产晶圆，原定时间为 6 月。初期产能约 1 万片晶圆，并计划在年底前扩大至数万片规模。目前，相关生产设备正在加紧投入与安装。

这一激进举措被普遍解读为 SK 海力士针对核心客户英伟达的需求做出的先发应对。英伟达下一代 AI 加速器 "Rubin" 预计将于明年下半年出货，其性能提升的关键在于搭载新一代的 HBM4 内存。SK 海力士已于去年 9 月率先完成 HBM4 客户样品开发并交付英伟达，目前正与英伟达及代工厂台积电紧密合作，进行基于先进封装技术 CoWoS 的系统集成与优化测试，以确保 GPU 与 HBM4 在信号时序、功耗和散热上的完美协同。

与此同时，全球 HBM 市场竞争日趋激烈。三星电子也已向英伟达提供 HBM4 样品，目前正处于优化测试阶段；美光则宣称其明年 HBM4 产能已被全部预订。内存三巨头围绕英伟达 Rubin 平台订单的争夺已全面展开。

据悉，英伟达最终供应商选定及份额分配结果预计将于明年初揭晓，功耗效率、发热稳定性、良率及大规模供应能力将成为关键评估指标。三星电子近期正全力提升其 HBM 工艺良率，以期在竞争中赢得优势。