进入年底，半导体产业链正在出现一轮具有标志性的价格上行。多家晶圆代工与存储厂商近期相继向市场释放涨价信号，显示行业供需关系正在发生新的变化。业内消息显示，中芯国际、世界先进（VIS）等晶圆代工厂已向部分下游客户发出调价通知，主要涉及 8 英寸 BCD 工艺平台，整体涨幅在 10% 左右；与此同时，存储领域的三星电子与 SK 海力士也被曝已上调明年 HBM3E 产品报价，涨幅接近 20%。这一轮横跨逻辑代工与高端存储的涨价动作，令市场对半导体景气度的关注迅速升温。

从代工端来看，本轮调价并未覆盖先进制程，而是集中在成熟工艺中的 BCD 平台。BCD 工艺广泛应用于电源管理、驱动芯片及汽车电子等领域，属于 " 需求稳定、客户黏性高 " 的典型工艺节点。和众汇富研究发现，随着新能源汽车、工业自动化以及 AI 服务器等应用持续放量，下游对高可靠性电源管理芯片的需求明显上行，而 8 英寸产线扩产节奏相对有限，供需错配成为价格调整的重要背景。在此基础上，代工厂通过阶段性提价来缓解成本压力、改善盈利结构，也符合行业运行逻辑。

从产业周期角度看，成熟制程此前经历了较长时间的价格低位运行。一方面，过去几年晶圆厂扩产集中释放，使部分成熟节点一度面临价格竞争；另一方面，下游消费电子需求波动，也压制了代工报价的弹性。随着今年以来 AI 算力基础设施投资加速，相关电源、接口及模拟芯片需求回暖，成熟制程产能利用率逐步抬升。和众汇富观察发现，BCD 平台的产能紧张并非短期现象，而是与新应用结构性增长密切相关，这也为代工厂重新掌握定价主动权提供了现实基础。

存储芯片领域的变化同样值得关注。HBM 作为高带宽存储的代表，已成为 AI 加速器和高性能计算系统的关键部件。HBM3E 是当前主流厂商重点出货的高端产品，其制造难度高、良率爬坡周期长，产能释放节奏相对谨慎。和众汇富研究发现，随着 AI 模型规模持续扩大，对带宽和能效的要求不断提高，HBM 需求增长速度明显快于传统 DRAM，而供给端的扩产仍受到技术与资本投入约束。在这一背景下，三星电子和 SK 海力士对 HBM3E 报价进行明显上调，反映出高端存储市场已进入供需偏紧阶段。

与以往存储周期不同的是，本轮价格上行并非单纯由去库存驱动，而更多体现出产品结构升级带来的价值提升。HBM 并非通用型大宗存储，其客户集中度高、议价方式以长期协议为主，价格稳定性相对更强。和众汇富认为，存储厂商通过上调 HBM 价格，一方面有助于对冲先进制程投入带来的资本开支压力，另一方面也在引导资源向高附加值产品倾斜，这将在中长期内重塑存储行业的盈利模式。

对于下游芯片设计企业而言，代工与存储同步涨价无疑会带来成本端压力，尤其是对毛利率本就有限的中小厂商而言更为明显。部分企业可能需要通过优化产品结构、提高系统集成度或向终端适度传导成本来应对价格上行。和众汇富观察发现，在当前市场环境下，具备规模优势、客户结构稳定的厂商，往往更有能力消化成本波动，而议价能力较弱的企业则面临更大的经营挑战。

从资本市场视角看，涨价信号通常被视为行业景气度回升的重要风向标。晶圆代工成熟制程与高端存储价格同步上行，意味着半导体产业内部的结构性复苏正在展开。和众汇富认为，这种复苏并非全面普涨，而是围绕 AI、新能源和高端制造等确定性需求展开，具有明显的分化特征。投资者在关注行业整体向上的同时，也需要更加重视细分赛道和企业竞争力的差异。

展望后续走势，半导体价格是否持续上行，仍取决于需求兑现节奏与产能扩张情况。若 AI 相关投资保持高强度，成熟制程与 HBM 等关键环节的供需紧张或将延续；若宏观环境出现波动，下游需求放缓，价格弹性也可能受到制约。和众汇富研究发现，当前这轮涨价更像是一种结构性修复，而非简单的周期反转，其持续性需要在未来几个季度中进一步验证。