快科技 12 月 29 日消息，存储三巨头 SK 海力士、三星和美光，正加速开发 16-Hi HBM 内存芯片，目标是在 2026 年第四季度向 NVIDIA 供货。

据悉，NVIDIA 已向供应商提出需求，希望在 2026 年第四季度正式交付 16-Hi HBM 芯片，用于其顶级 AI 加速器。

一位行业人士表示：" 继 12-Hi HBM4 之后，英伟达又提出了 16-Hi 的供货需求，因此我们正在制定非常快速的开发时间表。性能评估最早可能在明年第三季度之前开始。"

16-Hi HBM 技术尚未实现商业化，其开发面临诸多技术难题，尤其是随着堆叠层数的增加，DRAM 堆叠的复杂性呈指数级上升。

根据 JEDEC 标准，HBM4 的总厚度限制在 775 µ m，要在这一有限空间内塞进 16 层 DRAM 芯片，意味着晶圆厚度必须从目前的 50 µ m 压缩至 30 µ m 左右，而如此薄的晶圆在加工中极易损坏。

此外，粘合工艺也是竞争焦点，目前三星与美光主要采用 TC-NCF 技术，而 SK 海力士则坚持 MR-MUF 工艺。

为了增加堆叠层数，粘合材料的厚度必须缩减到 10 µ m 以下，如何在极致轻薄化后依然能有效散热，是三家企业必须跨越的 " 大山 "。

16-Hi 被视为半导体行业的一道分水岭，根据行业蓝图，下一代 HBM5 的堆叠层数也仅能达到 16 层，预计到 2035 年的 HBM7 才会实现 20 层和 24 层堆叠，而未来的 HBM8 也将止步于 24 层堆叠。