快科技 12 月 30 日消息，台积电已经开启了 N2 2nm 工艺的大规模量产，不过非常低调，没有任何官宣，但和此前制定的进度计划完全相符。

台积电官网的 2nm 工艺专业题页面有这么一句：" 台积电 2nm 技术已按计划于 2025 年第四季度投入量产。"

明年，台积电 N2 的产能将快速爬坡，迎接各家产品，包括 NVIDIA、AMD、苹果、高通、联发科都会用它。

N2 是台积电首个应用 GAA ( 环绕栅极纳米片晶体管 ) 的制程节点，有些类似 Intel RibbonFET。

该技术通过栅极完全包裹由水平堆叠纳米片构成的导电沟道，优化了静电控制效果，降低了漏电率，从而在不牺牲性能与能效的前提下进一步缩小晶体管尺寸，实现密度提升。

N2 工艺还在供电部分集成了超高性能金属 - 绝缘体 - 金属电容器 ( SHPMIM ) ，电容密度比之前的高性能金属 - 绝缘体 - 金属电容器 ( SHDMIM ) 提升超过 2 倍，同时将薄层电阻 ( Rs ) 、通孔电阻 ( Rc ) 降低了 50％，从而提升供电稳定性、芯片性能、综合能效。

按照台积电给出的说法，N2 相比 N3E 同等功耗下性能提升 10-15％，同等性能下功耗降低 20-25％，晶体管密度则提升 15％。

N2 工艺后续还有两个升级版本，N2P 预计 2026 年下半年量产，性能再提升 5-10％，功耗再降低 5-10％。

N2X 则将在 2027 年量产，对比 N2P 继续提升 10％的性能，功耗也进一步降低。

再往后就是 A16、A14，其中前者业界首发超级供电电路 ( SPR ) ，量产工作也将于 2026 年下半年如期推进。