近日，全球三大存储巨头之一的美光宣布：其斥资 1000 亿美元建造的巨型晶圆厂将在 1 月 16 日动工，据悉该项目包含四座 DRAM 晶圆厂，未来将聚焦 1 γ  nm 制程工艺研发、重点量产高端 DRAM、HBM4 等 AI 专用内存产品，首座工厂预计在 2030 年投入生产，全部项目完成后预计能创造 50000 个就业岗位。

数据显示，2025 年第三季度 SK 海力士、三星、美光分别以 33.2%、32.6%、25.7% 的份额垄断 90% 以上 DRAM 市场；而 2026 年全球半导体市场规模将接近 1 万亿美元，作为 AI 计算核心硬件 DRAM 的市场需求正在不断激增。为了应对市场需求、争夺 DRAM 市场话语权，美光此次大手笔投资建厂意图很明显，即通过纽约工厂的产能释放，将自身市场份额提升至 40%，从而超越三星与 SK 海力士，成为全球第一大 DRAM 制造商，而美国联邦政府也通过《芯片法案》为该项目提供 61.4 亿美元资金补贴，助力美国本土半导体制造产能增长。

之所以狠心拿千亿资金投资建厂，背后大致有两重原因。一方面，美光拥有覆盖 DRAM、NAND 闪存及高端专用存储的完整产品线，其在 1 γ nm 制程 DDR5 内存、HBM4、第九代（G9）3D NAND 领域的产品、技术能与行业巨头正面竞争；另一方面 AI 服务器对高端存储的需求呈现指数级增长且市场供需严重失衡，据悉美光 2026 年全年 HBM 产能已然售罄，甚至行业已经出现 " 客户以现金支付全额预付款换取 1-3 年供应保障 " 的霸王合同条款。

对美光来说，预想结果挺美好但要面临的市场风险同样不小。要知道，这个斥资超千亿美元的项目最早也要在 2030 年投入生产，甚至全部建成要到 2040 年以后，长达十余年的回报周期很考验企业资金流运转；而 DRAM 产品生产对良品率要求极高，美光新工厂的供应链、制造水准能否达标还是未知数。至于 HBM 市场 SK 海力士已经获得全球首个量产系统、三星也计划在 2026 年实现量产，美光在高端技术领域尚处于追赶阶段，能否后来者居上还要看后续技术研发、创新力度。未来十年，存储市场发展存在太多变量，美光能否如愿登顶全球第一还要交给时间来验证。