【CNMO 科技消息】据韩媒报道，SK 海力士宣布已完成其中国无锡工厂 DRAM 生产工艺从 1z 向 1a 世代的全面转换。此次升级历时约两年，自 2024 年 1 月公司首次披露计划以来稳步推进，现已实现月产能约 18 万至 19 万片 12 英寸晶圆中近 90% 采用 1a 工艺，显著提升产品性能与能效表现。

DRAM 制程按微缩程度划分世代，1z 属于 10 纳米级第三代技术，而 1a 为第四代，具备更高集成度与更低功耗。作为 SK 海力士全球 DRAM 生产体系的关键一环，无锡工厂承担公司总 DRAM 产量的 30% 至 40%，其技术升级对保障供应链稳定和满足全球客户需求具有战略意义。

值得注意的是，1a 工艺通常需依赖极紫外光刻（EUV）设备，但受相关出口管制影响，EUV 设备无法直接部署于中国境内。对此，SK 海力士采取创新分工模式：将涉及 EUV 的关键光刻步骤安排在韩国本土完成，其余制造流程则在无锡工厂进行整合。尽管该方案增加了工艺复杂性与物流成本，但有效兼顾了技术合规性与生产连续性。

SK 海力士公司高层此前强调，无锡工厂不仅是 SK 海力士的重要生产基地，也在全球存储芯片供应体系中扮演关键角色。自 2006 年投产以来，SK 海力士在该基地累计投资已达数万亿韩元。