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■长鑫科技如何打破垄断？

■存储行业为什么门槛高？

■和巨头之间的差距在哪？

2016 年，是朱一明的高光时刻。

他创办的兆易创新成功登陆 A 股，打破了国外在 NOR Flash 领域的垄断。

1972 年出生的朱一明，17 岁考入清华大学物理系，后留美获得纽约州立大学石溪分校硕士学位，并曾在硅谷存储公司任职。

然而，规模仅占存储市场约 1% 的 NOR Flash 并非主战场，真正被三星、SK 海力士和美光科技垄断超 90% 份额、年进口额高达数千亿元的，是占据市场半壁江山的 DRAM（动态随机存取存储器）。

朱一明计划通过兆易创新来布局 DRAM 业务，却被现实泼了一盆冷水，社会资本因 " 启动资金一年至少 100 亿元 " 纷纷退却。

就在朱一明为资金发愁时，合肥这座被称为 " 中国最强风投 " 的城市，也正急于摆脱 " 有屏无芯 " 的尴尬。于是，就在兆易创新上市的同一年，朱一明与合肥政府共同出资约 180 亿元创立长鑫科技。

两年后，朱一明又辞去总经理职务，出任长鑫科技 CEO，全力推进 DRAM 业务。他甚至立下军令状：长鑫不盈利，自己不领一分钱工资。

这是一场极其残酷的长跑。

为了追赶与国际巨头的技术代差，长鑫在随后几年里开启了烧钱模式，截至 2025 年 6 月 30 日，长鑫科技累计亏损超过 400 亿元。

如今，存储行业迎来上行周期，长鑫科技递交的科创板 IPO 申请已于 2025 年 12 月 30 日获受理。一座被誉为 " 最强风投城市 " 的地方政府，与一位怀揣 " 中国存储梦 " 的硅谷归国创业者，即将创造 2026 开年最大 IPO。

01 二次创业

长鑫科技的 IPO 正踩在存储产业上行周期。

根据 TrendForce 数据，2025 年 9 月以来，DDR5 的内存条价格上涨超 300%，DDR4 内存条涨幅也超 150%。另外，部分高端内存条年内涨幅甚至超过 400%，价格涨势远超黄金。甚至有业内人士调侃，一盒高端 DDR5 内存条的价值，已经超过北京上海不少房产。

根据市场研究机构 Counterpoint Research 发布最新行业报告指出，内存市场已进入 " 超级牛市 " 阶段，当前行情甚至超越了 2018 年的历史高点，达到了近 8 年来新高。

长鑫科技的诞生背后，正是号称最强风投城市的合肥，以及创业者朱一明。

2016 年，就在朱一明创立的兆易创新登陆 A 股之时，但他早已将目光转向另一片战场—— DRAM （动态随机存取存储器）。

在全球半导体行业版图里，NOR Flash 只是边缘，DRAM 才是皇冠上的明珠。

多家行业机构数据显示，在存储器市场，DRAM 的占比长期超过 50%，而 NOR Flash 的占比仅约 1%。前者广泛应用于服务器、PC、智能手机等算力密集型设备，决定了系统性能上限；后者更多用于嵌入式与启动存储，市场规模与战略权重不可相提并论。

而中国是全球最大的 DRAM 市场，占全球比例约为 43%，但几乎完全依赖进口，自制率远低于半导体全行业水平。

一心做存储芯片的朱一明，曾下过一个判断，" 谁在存储器技术领域领先，谁就能主宰整个集成电路产业。" 而想要赢得存储器市场，就必须啃下 DRAM 这根硬骨头。

但是，DRAM 领域具有极高的技术和资金壁垒，市场高度集中，由三星、SK 海力士和美光三分天下，是国产芯片供应链中 " 卡脖子 " 最严重的环节之一。

而且，要在巨头的夹缝中成长起来，一年至少需要 100 亿元的启动资金，且可能面临连续数年的颗粒无收。

就在朱一明为资金发愁时，合肥这座被称为 " 中国最强风投 " 的城市，也正急于摆脱 " 有屏无芯 " 的尴尬。

合肥市国资委总经济师项飙曾回忆说，当时合肥正苦于显示产业遭遇 " 缺芯之痛 "，为突破这一 " 卡脖子 " 元器件，在深入调研后，决定与兆易创新合作建设长鑫存储项目研发线。

于是，在兆易创新上市的同一年，合肥市政府旗下投资平台与兆易创新共同筹建长鑫存储项目。2017 年 3 月，一期工厂开工；同年 10 月，兆易创新宣布斥资 180 亿元，与合肥合作推进 DRAM 项目。

2018 年，就在 DRAM 芯片量产的关键节点，46 岁的朱一明做出了一个外界看来并不理性的决定，在兆易创新市值不断攀升、个人声望达到顶峰之际，他辞去总经理职务，仅保留董事长一职，同时出任长鑫存储 CEO 及长鑫科技 CEO，全力聚焦 DRAM 业务推进。

他立下军令状：在长鑫存储盈利前，不领一分钱工资、一分钱奖金。

02 冲破垄断

在长鑫科技之前，中国对 DRAM 的探索已经持续了 30 多年。

从上世纪 90 年代的无锡华晶，到 2000 年代的上海华虹 NEC、中芯国际，均在 DRAM 领域，尝试过突破。但在很长一个阶段里，这些公司受限于市场、技术、产业链不完整等因素，大多以代工或技术引进合作为主，没能成功建立自己的研发 - 生产 - 销售体系，无法与国外厂商正面竞争。

在 DRAM 这样的成熟产业中，后来者真正的门槛不仅在资金和工艺，更在专利。过去三十年，三星、SK 海力士和美光建立了高度交织的知识产权网络，新入局者稍有触碰，就可能陷入法律纠纷。

与长鑫科技同一时期成立的福建晋华的遭遇便是例证，其产品尚未量产，研发计划便因专利问题被迫中止，项目一度被叫停。

长鑫科技在技术上采取了引进消化吸收再创新与自主研发相结合的策略。项目初期，为了快速起步并规避专利风险，长鑫科技收购了德国奇梦达大量内存专利，并融入了自身研发体系。

奇梦达是曾经的 DRAM 巨头，虽已破产，但其留下的技术专利为长鑫的起步提供了宝贵参考。2019 年 5 月，朱一明在上海举办的 GSA MEMORY+ 峰会上第一次披露了公司的专利情况，他表示长鑫从已经破产的奇梦达处获得了大量专利，并且在这个基础上进行了创新，专利申请数量达到了 16000 个，还有 1000 多万份、约 2.8TB 有关 DRAM 的技术文件。

2019 年底，长鑫又宣布其与 WiLANInc. 合资子公司 PolarisInnovationsLimited 有关达成专利许可协议和专利采购协议。

在获得奇梦达技术支持后，合肥长鑫花费 25 亿美元的研发费用，在重新设计芯片架构后，迅速将奇梦达遗留的 46nm 技术，提升到 10nm 级的水平。

2019 年 9 月，长鑫科技正式宣布其采用 19nm 工艺的 8Gb DDR4 产品投产，产能初步达到 2 万片 / 月。这标志着中国企业首次掌握了主流 DRAM 产品的量产能力，打破了该领域长期被国外垄断的局面。

这是长鑫科技乃至中国半导体产业史上里程碑式的一年。而技术突破，则迅速吸引了资本追随。

2020 年，国家大基金二期、小米产投、君联资本等入场。2021 年，融资盛况空前，220 家机构排队参与三轮反向路演，原本坐在台下听路演的投资人，不得不走上台前来告诉长鑫存储：公司估值应该多少？在什么条件下愿意投？投多少？最终长鑫存储再从中选择 10 多家投资方纳入考察范围，长鑫科技估值飙升至超 390 亿元，成为 " 超级独角兽 "。

去年 6 月，在上市前最后一轮融资中，阿里云以 61 亿元认购其 3.85% 新增注册资本，将长鑫科技的 Pre-IPO 估值推升至 1584 亿元。

在资金支持下，长鑫科技的技术布局也加速落地。2021 年成功研发并投产 17nm ( 1ynm ) 工艺；2023 年 11 月，推出首款国产 LPDDR5 产品，随后进入小米、传音等品牌手机的供应链，实现了国产内存从 PC 端向高端移动终端的跨越。

从财报来看，长鑫科技研发投入强度极高，2022 年至 2025 年上半年累计研发投入 188.67 亿元，占累计营收的 33.11%；截至 2025 年 6 月 30 日，长鑫科技共拥有境内专利 3116 件（其中发明专利 2348 件）、境外专利 2473 件，应用于公司主营业务并能够产业化的发明专利超过 7 项。

但正是在这种高强度研发投入下，长鑫科技产品才实现了突破，营收实现了稳步增长，2022 年至 2024 年营收分别为 82.87 亿元、90.87 亿元、241.78 亿元。

03 拐点已至

如果从市场份额来看，今天的长鑫科技，在全球 DRAM 的牌桌上，还只是一个刚刚获得入场券的新玩家。

据统计，长鑫科技在全球 DRAM 市场中占据 3.97% 的份额，按产能、出货量及销售额综合衡量，稳居全球第四位，同时也是中国大陆排名第一的 DRAM 厂商。

但与行业头部玩家相比，这一体量仍然十分有限。2024 年三星电子、SK 海力士、美光科技的市场占有率分别为 40.35%、33.19% 和 20.73%，这三家公司合计占据全球 90% 以上的市场份额。

在 DRAM 这样的行业里，市场份额意味着强议价权和周期承受力。尤其在价格下行周期，巨头可以通过规模和成本优势对冲冲击，而新玩家，往往只能被动承受周期冲击。

这也直接反映在长鑫科技的财务表现上。

2022 年 ~2024 年及 2025 年上半年，长鑫科技分别亏损 83.28 亿元、163.4 亿元、71.45 亿元、23.32 亿元，截至 2025 年 6 月 30 日，长鑫科技累计亏损 408.57 亿元。

其中，2023 年是长鑫科技最艰难的一年，亏损额（163.4 亿元）较其他年份翻倍，正是受行业周期影响。

2022 年至 2023 年期间，受上游 DRAM 产品库存水平较高、下游市场需求低迷的影响，DRAM 行业经历了深度下行周期，DRAM 产品的销售价格大幅下滑，直到 2023 年下半年市场开始逐步回暖。

2023 年，虽然长鑫科技销量实现大幅增长，但由于 DRAM 产品销售单价同比下滑 43.54%，因此收入增速受到较大影响，并导致公司存货减值损失计提增加，对公司利润产生冲击。

除了周期因素，另一层挑战来自技术与产品结构本身。

在制程工艺上，长鑫目前工艺在密度与功耗上与三星、海力士仍有 1-2 代的代差。在产品层面，尽管长鑫已攻克 DDR5 的良率关卡，但在算力时代的核心抓手 HBM 领域，长鑫仍处于从 0 到 1 的突破阶段。

相比之下，三星、SK 海力士和美光不仅在 DDR5 的量产节奏上更快，更重要的是，已经在 HBM2、HBM3 等高端 DRAM 产品上实现规模出货，并与 GPU、CPU 厂商形成高度绑定的供货关系，牢牢卡住了 AI 算力产业链中最具溢价能力的关键节点。

这也意味着，当前长鑫科技的产品仍以通用型 DRAM 为主，在 AI 核心应用中的渗透率有限。即便公司已明确向 HBM 等高端产品推进，但从研发验证、良率爬坡到规模化商业落地，仍是一条周期长、投入重的追赶之路。

不过，从行业周期的角度看，长鑫科技也并非没有窗口期。

AI 算力浪潮的到来，正在重塑 DRAM 的需求结构。AI 服务器、数据中心和高性能计算，对内存容量和带宽的需求提升，为 DRAM 行业打开了新一轮成长空间。

受益于内存价格回升及销量增长，长鑫科技预计 2025 年度实现营业收入 550 亿元至 580 亿元，同比增长 127.48% 至 139.89%；预计净利润将实现扭亏为盈，达到 20 亿元至 35 亿元。

关键拐点已经来临。对长鑫科技而言，真正的挑战不仅在于是否能迎来盈利，更在于能否在技术与产品结构上完成跃迁，这将最终决定它在全球 DRAM 产业中，最终能搏得多大市场份额。