美银证券最新研究报告指出，全球存储芯片行业商业模式日益趋近芯片代工行业，呈现周期性显著减弱、价格趋于稳定、利润率持续提升的 " 类代工 " 特征。这一转型受多重因素支撑：2026 年初 DRAM 与 NAND 现货价格继续大幅上涨，其中 DDR4 价格单月涨幅超 2000%；台积电释放的强劲业绩指引亦印证产业链高景气度，尤其利好 SK 海力士等存储龙头。

据硬 AI，在近期美国东西海岸的路演中，美银团队观察到多数投资者认可当前存储周期强度远超以往，并已从中获得可观回报，但市场情绪明显分化：既有坚定看好 AI 驱动行业长期繁荣的乐观派，也不乏担忧估值已高、后续动能可持续性的谨慎派。

投资者主要关注以下几点风险：行业经历 2-3 年上涨后，市净率已处历史高位；资本支出持续上升，三星电子等龙头企业大幅扩产；2026 年下半年后平均售价（ASP）上涨动力可能放缓；市场仍对 2019 年云计算硬件周期后的需求回调记忆犹新；以及 IT 生产节奏与 DRAM 供应之间存在结构性矛盾。

尽管存在这些担忧，报告提出的核心逻辑存储行业正转向 " 高利润、稳价格、弱周期 " 的运营模式仍获得广泛认同。即使 2026 年第二季度后 ASP 上涨动能可能减弱，行业仍有望维持高景气区间，形成以利润率为核心的 " 超级周期 "。此外，传统 DRAM 产能正加速转向 HBM 或向 LPDDR5/GDDR7 等高端产品升级，多芯片集成方案的销售也延续增长趋势。

值得关注的是，部分激进投资者认为，若 SK 海力士盈利能力能够对标台积电，其市值有望上看万亿美元规模。但报告同时警示，NAND 市场可能在 2026 年底因产能释放与制程向 200-300 层迁移而面临新的供需平衡压力。

台积电增长指引利好海力士，三星承压明显

台积电近期公布的业绩指引被视为行业关键风向标：公司预计 2026 年营收复合增长率将达 30%，并到 2029 年保持年均超过 20% 的增速，年资本支出将维持在 500 亿美元以上。这一乐观展望与 SK 海力士在 HBM 市场的领先地位紧密相关，后者目前占据全球 HBM 供应份额的 60% 以上。

上述态势正重塑行业竞争格局。台积电凭借其在 2 纳米制程与 CoWoS 先进封装技术的持续领先，不断巩固技术壁垒，限制了三星电子在晶圆代工领域的追赶空间。财务对比亦凸显差距：三星晶圆代工业务仍处亏损，而台积电营业利润率长期高于 50%。

在此产业联动下，SK 海力士作为台积电核心 HBM 供应商的战略地位进一步强化，不仅巩固了其在存储芯片领域的竞争优势，也推动了从先进制程、高端封装到高性能存储的闭环生态的形成。

现货价格狂飙 供应持续紧缩

报告指出，DRAM 现货市场正呈现极度紧张态势。今年 1 月上半月，DDR4 与 DDR5 现货价格延续强势，周涨幅均达约 10%，延续了自 2025 年第四季度以来累计 100%-200% 的上涨趋势。

具体来看：16Gb DDR5 现货价格已升至 35.0 美元，周涨 10%，季涨 238%，年涨幅高达 647%；16Gb DDR4 现货价达 75.8 美元，周涨 7%，季涨 323%，年涨幅更达 2315%；8Gb DDR4 现货价也攀升至 29.1 美元，年涨幅达 1886%。

值得关注的是，DDR4 现货价格出现结构性 " 倒挂 "：自 2025 年 6 月起，16Gb DDR4 价格（75 美元）已显著高于同规格 DDR5（35 美元），形成罕见的价格倒挂现象。这主要源于三大存储芯片制造商持续将传统 DDR4 产能转向更先进制程，导致 DDR4 供给端持续紧缩。

目前，制造商与 OEM 厂商对传统 DRAM 模组的供应保障仍存担忧。报告预计现货价格仍具进一步上涨动力，尽管当前涨势部分受投机交易推动，而非完全由实际需求支撑。此外，NAND 现货价格同样保持上扬，本周涨幅介于 5%-10% 之间。

贸易数据印证景气度

韩国半导体出口数据持续印证行业高景气度。2026 年 1 月前 10 天，半导体出口额达 46 亿美元，同比大幅增长 46%，虽环比回落 12%，仍处于历史高位水平。至此，韩国半导体出口已连续 25 个月实现同比增长，增速与 2025 年 11 月（+18%）及 12 月（+46%）的高位态势保持一致。

展望后市，建议投资者重点关注 2026 年下半年 NAND 市场潜在的供需机遇，同时密切关注资本开支扩张对行业长期盈利结构的影响。整体而言，存储芯片行业向 " 类晶圆代工 " 模式的结构性转型，正推动板块突破传统周期性估值逻辑，开启具备持续性的价值重估进程。