《科创板日报》1 月 18 日讯 尽管 HBM 自推出到登上半导体产业舞台中心花费了近十年时间，但其迭代技术 HBF 或将以更快速度实现商业化和普及。

据韩国经济日报等外媒报道，SK 海力士正与闪迪合作，致力于 HBF 标准的制定。该公司计划最早于今年推出 HBF1（第一代产品）样品，该产品预计采用 16 层 NAND 闪存堆叠而成。

除此之外，据 "HBM 之父 " 韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩透露：" 三星电子和闪迪计划最快在 2027 年底或 2028 年初将 HBF 技术应用于英伟达、AMD 和谷歌的实际产品中。" 他补充道：" 由于在研发 HBM 的过程中积累了丰富的工艺和设计技术，能将这些经验应用于 HBF 设计中。因此 HBF 技术的研发速度会更快。"

HBF 即高带宽闪存，其结构与堆叠 DRAM 芯片的 HBM 类似，是一种通过堆叠 NAND 闪存而制成的产品。金正浩认为，HBM 与 HBF 就好比书房与图书馆。前者容量虽小，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。

金正浩进一步指出，待迭代至 HBM6，HBF 将迎来广泛应用，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。他预测，2 至 3 年内，HBF 方案将频繁涌现，到 2038 年左右，HBF 市场将超过 HBM 市场。

值得注意的是，随着 AI 需求不断加大，如今各存储厂商正纷纷扩充产能。就在昨日，美光科技被曝拟以 18 亿美元从力积电收购其位于中国台湾的一处晶圆厂设施，并计划在交易于第二季度完成后分阶段提升 DRAM 产量。美光预计，该交易将在 2027 年下半年带来显著的 DRAM 晶圆产出。

另有三星电子透露，已将泰勒晶圆厂原规划的每月 2 万片晶圆提升至每月 5 万片晶圆，初始制造计划最早在今年第二季度启动。

广发证券认为，当前大模型的参数规模已经达到万亿级别，上下文长度普遍超过 128K，HBM 的容量已难以满足 AI 大模型对于内存容量的要求。在研的 HBF 存储容量有望达到现有 HBM 的 8 至 16 倍，有望将 GPU 的存储容量扩展至 4TB，或成为满足 AI 大模型内存容量要求的最佳方案。

从投资层面来看，该机构判断，在针对存储介质优化的数据基础软件领域，相关产品开发厂商既包括大型科技公司，也包括独立第三方公司。在对于数据库有一定技术积累的背景下，相关公司均有针对 HBF 存储介质开发数据基础软件的潜力。随着 HBF 相关技术的成熟，相应产品在 AI 推理任务中有望大规模使用，从而推动相关数据基础软件的应用。