每经 AI 快讯，1 月 19 日，中微半导 ( 688380.SH ) 公告称，公司即将推出首款非易失性存储器芯片，该产品为 4M bit 容量的低功耗 SPI NORFlash，存储阵列共 2048 个可编程页，每页容量为 256 字节，单次可编程写入数据量最高可达 256 字节，支持多种擦除模式，具有低成本、低功耗、SPI 高速读写、掉电不丢失特点，适配小存储需求场景。新产品的发布是公司实施 "MCU+" 战略的最新成果，丰富了公司产品矩阵和形态，拓宽了应用场景，预计对公司未来发展产生积极影响。

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