1 月 26 日午后，市场延续震荡调整走势，截至 14:35，上证科创板芯片设计主题指数下跌 1.1%。

消息面上，三星电子将第一季度 NAND 闪存供应价格上调 100% 以上，涨幅远超市场预期。这是继 DRAM 内存价格上调近 70% 后，存储市场释放的又一调价信号。

招商证券认为，2026 第一季度各品类存储价格环比涨幅超预期，预计 2026 年全年全球存储供给整体维持偏紧状态，AI 需求增长持续高于产能扩张速度，其他消费类存储和利基型存储受到产能挤压和下游恐慌备货等因素，价格涨幅也远超常规水平。今年国内存储产业链多环节都将受益于缺货涨价浪潮，核心建议关注存储原厂、存储模组 / 芯片公司、存储封测 / 代工等环节。

上证科创板芯片设计主题指数由科创板内不超过 50 只业务涉及芯片设计领域的股票组成，指数前五大权重股为海光信息、澜起科技、寒武纪、芯原股份、东芯股份，数字芯片设计行业合计占比超 75%，在 AI 驱动的新范式下具备长期成长潜力。科创芯片设计 ETF 易方达（589030）跟踪该指数，可助力投资者把握存储芯片上行周期布局机会。

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