（全球 TMT2026 年 1 月 28 日讯）韩国 8 英寸纯晶圆代工厂 SK keyfoundry，近期推出第四代 200V 高压 0.18 微米 BCD ( Bipolar-CMOS-DMOS ) 工艺，将与国内外主要客户开展全面产品开发，目标年内实现量产。

随着汽车电气化和 AI 数据中心扩张加速，市场对高压、高效功率半导体需求快速增长。第四代 200V 高压 0.18 微米 BCD 工艺，与上一代工艺相比，Rsp（比导通电阻）和 BVDSS（击穿电压）均提升了 20% 以上，具备更高的功率效率和高温稳定性；该工艺优化了低导通电阻器件，提供多层厚金属间 电介质 ( Thick IMD ) 选项，支持多种嵌入式存储选项及霍尔传感器，可提升芯片竞争力与设计灵活性。

该工艺可应用于开发多种产品，包括高压电源管理和转换 IC、电机驱动器、发光二极管 ( LED ) 驱动器和电源栅极驱动器，且满足汽车可靠性标准 AEC-Q100 Grade 0，可直接用于汽车电子元件。