快科技 2 月 3 日消息，在全球存储芯片供应严重短缺的背景下，中国两大存储巨头正加速扩张以抢占市场先机。

据日经亚洲报道，中国两大头部存储芯片制造商，长鑫存储与长江存储已启动史上最大规模扩产计划，力图缩小与三星、SK 海力士等国际龙头的差距。

报道称，作为中国最大 DRAM 厂商，长鑫存储正在上海建设新工厂，新增产能将达其合肥总部基地的两至三倍。

该厂计划于 2026 年下半年启动设备安装，2027 年正式投产，产品覆盖服务器、PC、汽车电子等领域，同时，公司还在上海扩建 HBM 生产线，瞄准 AI 算力需求。

有知情人士表示，长鑫存储在合肥、北京的两处工厂已处于满负荷运转状态，" 本土企业需求极为旺盛，公司希望尽快扩大产能。"

至于中国头部 NAND 厂商长江存储也在武汉建设第三座工厂，计划于 2027 年投产。

据透露，长江存储已明确新厂产能规划，除生产 NAND 外，50% 产能将用于 DRAM 制造；同时还将与本土存储封装企业合作，为人工智能计算场景研发生产 HBM。