快科技 2 月 4 日消息，在 AI 基础设施建设热潮带动 DRAM 需求激增，全球内存供应链瓶颈持续凸显的背景下，Intel 正计划重返阔别 40 年的 DRAM 内存市场。

据悉，Intel 将与软银旗下子公司 Saimemory 达成深度合作，联合开发名为 ZAM（Z-angle memory，Z 角内存）的下一代内存新技术，其单芯片最高容量可达 512GB，功耗较当前主流的 HBM 内存降低 40% 至 50%，有望重塑 AI 时代全球内存市场的竞争格局。

当前，全球 AI 大模型训练、超大规模数据中心运算等场景，推动算力需求呈指数级攀升，高速内存已成为 AI 硬件体系的核心支撑。

ZAM 内存技术的核心竞争力源于其创新性的架构设计。不同于传统内存的垂直布线模式，该技术采用交错互连拓扑结构，以对角线 "Z 字形 " 布线优化芯片堆叠布局，搭配铜 - 铜混合键合技术实现层间高效融合，最终形成类似单片芯片的一体化硅块结构。

同时，ZAM 技术采用无电容设计，通过 Intel 成熟的 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术实现与 AI 芯片的高速高效连接，既简化了制造工艺流程，又能有效提升存储密度、降低芯片热阻。

相较于当前 AI 领域主流的 HBM 内存，ZAM 技术的优势十分突出。其单芯片最高容量可达 512GB，大幅超越当前主流 HBM 产品。功耗降低 40%-50%，可精准解决 AI 数据中心能耗高企的行业痛点。而 Z 形互连设计更能简化制造流程，为后续规模化量产奠定坚实基础。

值得一提的是，这并非 Intel 首次涉足 DRAM 领域。早年间，Intel 曾是 DRAM 市场的重要参与者，但受日本厂商激烈竞争冲击，市场份额持续下滑，最终于 1985 年退出该赛道。

如今，AI 产业的爆发为内存技术带来了全新发展机遇，Intel 凭借自身在先进封装、芯片堆叠领域的深厚技术积累，计划凭借 ZAM 技术重获内存市场话语权。

不过，其最终能否成功突围，关键仍在于能否说服 NVIDIA 等行业领军企业采用该技术，打破现有市场格局。