英伟达即将推出的 "Vera Rubin"AI 系统计划于夏末以 VR200 NVL72 机架级解决方案的形式发货，该方案将为下一代 AI 模型提供动力。然而，并非所有获得 HBM4 认证的存储器制造商都赢得了设计订单。据报道，美光已出局，仅剩下三星和 SK 海力士供应珍贵的 HBM4 存储器。

根据 SemiAnalysis 泄露的机构报告（该机构对供应链进行极其详尽的跟踪），SK 海力士将占据 VR200 NVL72 系统约 70% 的 HBM4 供应量，三星获得剩余的 30%。据报道，对于像美光这样的主要存储器制造商而言，其在 HBM4 存储器供应方面的承诺为零。

有趣的是，这并不意味着美光在英伟达 VR200 NVL72 系统中的存储份额就此终结。该公司将不供应 HBM4，转而为 "Vera"CPU 供应 LPDDR5X 存储器。这些 CPU 可配备高达 1.5TB 的 LPDDR5X，从而弥补了在 HBM4 上失去的份额。美光可能未能通过英伟达对 VR200 NVL72 进行的重大系统升级认证。该系统的目标带宽从 2025 年 3 月的 13TB/s 提升至 9 月的 20.5TB/s。而在 2026 年 CES 上，英伟达确认 VR200 NVL72 系统目前的带宽已达到 22TB/s，标志着系统带宽增加了近 70%，这全部源于该公司对存储器制造商提出的激进规格扩展要求。

运行在 LPDDR5X 存储器上的 "Vera"CPU 使用的是 SOCAMM2 LPDDR5X，而美光可能是其最大或独家供应商。由于英伟达现在将这些 CPU 作为英特尔 Xeon 和 AMD EPYC 服务器级 CPU 的独立竞争对手提供，该系统也需要 SOCAMM2 存储器，而美光正是该领域的主要参与者。因此，并非所有的排除都是坏事，因为美光正在系统的其他领域展开竞争。

240 亿美元，美光加码 NAND 产线

美光计划在新加坡兴建一座先进晶圆制造厂，未来 10 年投资额 240 亿美元，新厂最终将提供 70 万平方英尺的无尘室空间。美光表示，2028 年下半年投产晶圆，协助美光满足 AI 及数据密集应用快速发展下，市场对 NAND 闪存日益增长的需求。

美光新厂房位于其现有 NAND 闪存制造园区，1 月举行了新厂房奠基仪式，新加坡副总理兼贸易与工业部部长颜金勇、新加坡贸易与工业部常任秘书马宣仁、新加坡经济发展局局长黎佳明及裕廊集团 CEO 傅美晶出席。

美光全球运营执行副总裁 Manish Bhatia 表示，非常感谢新加坡政府，包括新加坡经济发展局和裕廊集团，这次投资凸显了美光对新加坡的长期承诺，新加坡是其全球制造网络的重要枢纽，有助于增强供应链韧性。

美光在新加坡本就拥有规模庞大的生产设施，公司 98% 的 NAND Flash 内存是在新加坡厂制造。另外美光正在新加坡建造耗资 70 亿美元的先进封装厂，也位于同一新加坡制造园区内，目前正按计划推进，预计 2027 年为美光的 HBM 供应作出贡献。随着 HBM 成为美光新加坡制造布局的一部分，该公司预计 NAND 闪存和 DRAM 生产之间将出现协同效应。美光将灵活调整新厂的产能提升速度，以适应市场需求。

美光公司称，对先进晶圆制造厂的投资将创造约 1,600 个工作机会，加上先前宣布的 HBM 先进封装工厂提供的 1400 个就业岗位，美光此次扩建将总共新增约 3000 个就业机会。这些岗位将专注于晶圆厂的工程和运营，整合 AI、先进机械人和智能制造技术，以提高效率和创新能力。

2026 年 1 月，美光接连发生了多个大动作。16 日，美光位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的巨型 DRAM 内存晶圆厂正式破土动工。据悉，该项目总投资规模达 1000 亿美元，规划兴建多达四座晶圆厂，建成后将成为美国最大的半导体制造基地，并为当地创造约 5 万个就业机会。该厂预计于 2030 年前后开始投产，并于未来十年逐步提升产能。 美光指出，相关投资将有助于实现 40% DRAM 产品于美国本土生产的目标，并强化美国半导体供应链韧性。

1 月 17 日，美光与力积电签署独家战略合作意向书，美光将以 18 亿美元收购力积电位于苗栗县铜锣科学园区的 P5 晶圆厂。这笔交易将为美光提供一座面积约 2.8 万平方米的现成 12 英寸晶圆生产线洁净室。美光将在此部署 DRAM 内存生产线，预计从 2027H2 开始为美光 DRAM 晶圆产出带来有意义的贡献。此外，美光将和力积电建立 DRAM 先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹 P3 厂精进现有利基型 DRAM 制程技术。