财联社 2 月 9 日讯（编辑 周子意）三星电子或将于本月下旬开始向英伟达交付其高带宽存储芯片 HBM4，这将标志着全球首次 HBM4 大规模量产和出货。

业内消息人士透露，三星电子已决定在即将到来的农历新年假期（2 月 17 日为农历初一）之后开始向英伟达供应 HBM4 产品。

据相关官员称，三星电子已完成英伟达 HBM4 的认证流程，并根据英伟达新的人工智能加速器（包括 Vera Rubin 平台）的发布计划，确定了交付时间表。

英伟达预计将在即将举行的 GTC 2026 大会上展示其下一代搭载三星 HBM4 的人工智能计算平台 Vera Rubin。该大会定于 3 月 16 日至 19 日举行。

英伟达首席执行官黄仁勋在上个月的 CES 2026 展会上表示，Vera Rubin 已全面投入生产，这使得人们期待该平台将在 2026 年下半年推出。

领先行业标准

三星电子的 HBM4 在性能上实现了对行业标准的大幅超越，已超出行业标准机构联合电子设备工程委员会（JEDEC）设定的标准，被选入用于英伟达下一代人工智能平台。

在制造工艺上，三星在 DRAM 单元芯片上采用了 1c 工艺（第六代 10 纳米级 DRAM 技术），而基板芯片则采用 4 纳米代工厂工艺。

凭借这一工艺组合，三星 HBM4 的数据处理速度达到 11.7 千兆比特每秒（Gbps），超出 JEDEC 标准 8 Gbps 约 37%，较上一代 HBM3E 的 9.6 Gbps 快 22%。单堆栈存储带宽达到 3 TB/s，是上一代产品的 2.4 倍。采用 12 层堆叠技术可提供 36 GB 容量，未来若采用 16 层堆叠，容量可扩展至 48 GB。

在这种背景下，三星与其主要竞争对手 SK 海力士之间在向英伟达供应 HBM4 芯片方面的竞争预计将会加剧。SK 海力士的 HBM4 芯片采用的是该公司第五代 1b DRAM 工艺，并用台积电 12 纳米逻辑芯片晶圆制造工艺来生产基板芯片。

值得一提的是，三星此次量产时间表的落地，使三星在与 SK 海力士等竞争对手的角逐中占得先机。行业消息人士称，" 三星电子拥有全球最大产能和最广泛产品线，通过率先量产性能最高的 HBM4 证明了其技术竞争力。基于此，公司正处于引领市场的最有利位置。"

也有业内消息人士称，SK 海力士可能会提供更大的供应量，因为人们普遍认为其生产稳定性更高，而三星则希望通过性能优势在市场中抢占先机。