热点科技 02-10
不止苹果!联发科投奔英特尔,1.4nm工艺却藏发热隐患
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此前我们曾报道苹果计划与英特尔达成芯片供应协议,在 2027 年或 2028 年,让英特尔为非 Pro 版的 iPhone 以及 Mac 和 iPad 产品线提供芯片代工服务,采用英特尔的 EMIB 封装。

而根据最新的爆料,英特尔又迎来一个大客户,那就是联发科。

爆料称联发科将会采用英特尔 14A 打造天玑系列 SoC,不过外媒似乎有些担心英特尔 14A 先进制程的良率与功耗控制能否如期达标。

据了解,英特尔 14A 直接对标台积电 14A 工艺,属于 1.4nm 级别。英特尔 14A 工艺采用了第二代 RibbonFET 全环绕栅极晶体管和 PowerDirect 背面供电技术,相较于 18A 性能提升 15% — 20%,功耗可以降低 25% — 35%。

不过虽然 PowerDirect 背面供电技术让芯片能够提升晶体管密度,同时还可以带来更高、更稳定的频率,但是也有一个副作用,那就是会让芯片产生比较严重的自热效应。

如果这项技术是用于桌面处理器上,那么无可厚非。毕竟用户有各种主动散热方案可以解决发热的问题。但如果这项技术是用于手机 SoC,那么手机有限的散热空间或将难以承载其发热负荷。

据了解,高通下一代旗舰芯片为了缓解散热问题,已经确定采用三星 HPB 散热技术。或许联发科也能够采用类似的技术来缓解芯片发热问题。

联发科虽然一直与台积电保持良好的合作关系,但台积电产能长期被英伟达、苹果等客户占据,而台积电产能越来越吃紧,联发科选择与英特尔合作,一定程度上可以缓解产能焦虑。

此外还有消息称英特尔 EMIB 封装成本较台积电 CoWoS 低 30% — 40%,也非常适合联发科芯片产品的市场定位。

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