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不止于HBM4 三星将研发2款全新HBM:2.8倍性能 功耗不变
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快科技 2 月 12 日消息,AI 发展对高性能存储芯片 HBM 的需求极高,引发本轮内存大涨价的核心原因就是 HBM 需求高涨导致三星等公司将产能转向 HBM。

三星之前在 HBM 上被 SK 海力士、美光抢了先,但在 HBM4 时代他们追上来了,日前宣布正式量产,但他们不会止步于此,还在研发 2 款加强版 HBM 芯片,分别叫做 cHBM 及 zHBM。

在日前的韩国 SEMICON 2026 会议上,三星设备解决方案(DS)部门总裁兼首席技术官 Song Jae-hyuk 发表了主题演讲,介绍了三星未来的 HBM 技术路线图。

他表示三星是唯一涵盖存储芯片、代工和封装的 IDM 集成制造商,该公司计划通过设计、工艺、内存和封装的集成解决方案实现技术领先。

三星正在开发的新一代 HBM 技术,其中 cHBM 是三星定制(custom)的 HBM 技术,将让 Base Die 基础核心负责一部分原来 GPU 要处理的工作,实现了 2.8 倍的性能,同时 HBM 功耗不变。

zHBM 技术的细节没有公布太多,从 Song Jae-hyuk 的描述来看,应该是晶圆键合级别的 HBM,有可能跟前几天 Intel 联合软银开发的 ZAM 内存技术方向类似。

从三星的表态来看,HBM 发展到现在虽然性能已经很强,但是 AI 对算力的要求是无止境的,而且功耗问题不得不考虑了,cHBM 及 zHBM 通过定制及更复杂的封装有望实现更高的性能,同时降低功耗。

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