快科技 2 月 12 日消息，据媒体报道，三星日前宣布，已正式启动 HBM4 内存的量产，并同步向客户交付商用产品。

这是业界首次将 4nm 制程的基础裸片与 1cnm 级别 DRAM 工艺相结合，从量产初期即实现稳定良率与领先性能，无需额外设计调整，为三星在 HBM4 市场早期阶段确立了技术主导地位。

三星表示，此次 HBM4 并未沿用既有成熟设计方案，而是基于自身工艺与设计优化能力，在制程节点上迈出关键一步，为后续性能拓展预留充足空间，能够快速响应客户不断提升的计算需求。

速率方面，三星 HBM4 已实现 11.7Gbps 的数据传输速率，较行业标准的 8Gbps 提升约 46%，相较前代 HBM3E 的最高速率 9.6Gbps 亦高出 22%，刷新 HBM4 性能标杆。

三星同时具备将速率进一步提升至 13Gbps 的能力，有助于缓解大模型持续扩展带来的数据瓶颈压力。单堆栈总内存带宽最高可达 3.3TB/s，达到 HBM3E 的 2.7 倍。

容量配置上，三星 HBM4 通过 12 层堆叠技术提供 24GB 至 36GB 的容量组合，未来将引入 16 层堆叠技术，将单堆栈容量扩展至 48GB。

伴随接口位宽翻倍至 2048 位，功耗与散热挑战随之而来。三星将低功耗设计直接集成于核心芯片，采用低电压硅通孔技术与电源分配网络优化方案，使 HBM4 功耗效率较前代提升 40%，热阻降低 10%，散热能力提升 30%。

凭借在性能、能效与可靠性层面的综合提升，三星 HBM4 为数据中心环境提供了更优的 GPU 吞吐量支撑，并助力客户有效控制总体拥有成本。