三巨头 HBM 争夺战白热化。

作者 |  ZeR0

编辑 |  漠影

芯东西 2 月 13 日报道，HBM 战局连生变数，美光科技周三刚披露已提前一个季度开展 HBM4 产品的量产和商业出货，三星就在昨日推出业界首款商用 HBM4。

这给全球 HBM 霸主 SK 海力士不断施加新压力。

SK 海力士曾放话将保持 HBM4 芯片 " 压倒性 " 的市场份额，计划使 HBM4 的生产良率与 HBM3E 芯片相近，并在最新一季的财报电话会议中强调自己积累的量产经验和客户信任度都 " 短时间内难以赶上 "。

美光科技计划在 2026 年全面推出 HBM4。在周三的一场行业会议上，美光科技 CFO Mark Murphy 透露，美光已开展 HBM4 产品的量产和商业出货，这比去年 12 月财报会议上披露的 " 第二季度 " 提前了一个季度。

他强调说，美光 HBM4 产品的数据处理速度超过11Gbps，公司 " 对 HBM4 产品的性能、质量和可靠性非常有信心 "。

周四，三星宣布自家 HBM4 已开始量产，并已向客户交付商用产品，预计其 HBM 产品销量在 2026 年将达到 2025 年的3 倍以上，并正积极扩大 HBM4 的产能；其 HBM4E 样品预计将于2026 年下半年开始发放，而定制 HBM 样品将根据客户的具体规格于2027 年开始交付。

产品规格方面，三星 HBM4 采用第六代 10nm 级 DRAM 工艺 1c DRAM 和 4nm 逻辑工艺，可提供高达11.7Gbps的稳定处理速度，比业界标准的 8Gbps 提升约46%，比其前代产品 HBM3E 的最高引脚速度 9.6Gbps 提升22%。与 HBM3E 相比，其每个堆栈的总内存带宽提高至2.7 倍，最高可达3.3TB/s。

英伟达将在今年 3 月的 GTC 大会上发布新一代旗舰 AI 计算平台 Vera Rubin，预计将进一步点燃 HBM 抢位战。

在今年 1 月底到访中国台湾期间，英伟达创始人兼 CEO 黄仁勋透露，英伟达与所有主要的 HBM 供应商都有合作，今年非常依赖这些合作伙伴来满足飙升的需求。

早先有韩媒援引消息人士报道，英伟达将其 HBM4 需求的约 70% 分配给了 SK 海力士。但是这一爆料数据近期又有变化。

据韩媒 2 月 9 日报道，三星将于 2 月开始量产并向英伟达交付 HBM4，英伟达于去年 12 月初步将 HBM4 需求的约 50% 分给 SK 海力士，三星和美光则各分到 20% 左右。

市场研究机构 Counterpoint Research 此前预计，2026 年全球 HBM4 市场中，SK 海力士、三星、美光的市占率分别为 54%、28%、18%。

另据 TrendForce 集邦咨询最新研究，三大存储芯片原厂的 HBM4 验证程序已进展至尾声，预计将在 2026 年第二季度陆续完成。其中，三星预期将率先通过验证，SK 海力士、美光随后跟上。

去年 6 月，美光向重点客户交付了 36GB、12 层封装的 HBM4 样品。该 HBM4 基于其成熟的 1 β DRAM 工艺，采用 2048 位接口，每个内存堆栈的读写速度超过 2.0TB/s，性能比上一代产品 HBM3E 提升超过 60%，能效提升超过 20%。

三星 HBM4 产品同样采用 12 层堆叠技术，容量从 24GB 到 36GB，还计划通过采用 16 层堆叠技术，将容量扩展至最高48GB。

三星在核心芯片中集成了先进的低功耗设计方案。与上一代 HBM3E 相比，其 HBM4 通过采用低电压硅通孔（TSV）技术和电源分配网络（PDN）优化，将能效提升 40%、热阻降低 10%、散热能力提高 30%。

虽然数据中心市场对先进 HBM 的需求，但几家存储芯片巨头未必有足够动力去全力投入 HBM4 生产，因为通用 DRAM 产品的价格也在飙升。

国际投资银行高盛披露，今年通用 DRAM 的价格为每 Gb 1.25 美元，或每 GB 10 美元（1GB=8Gb）。这个价格与当前 HBM 市场的旗舰产品 12 层 HBM3E（第五代 HBM）产品并没有显著差异。由于通用 DRAM 无需像 HBM 那样采用顶尖封装技术，因此其利润率据称要高得多。

随着存储供应持续紧张，AI 基础设施产业的主导地位正在发生变化，存储芯片大厂们将掌握更高的议价权。