小财米

2025 年岁末，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称 " 长鑫科技 "）科创板首次公开发行股票申请正式获上海证券交易所受理，公司以 295 亿元募资额刷新科创板 IPO 历史纪录。这家从合肥起步的存储芯片企业，在三年内实现营业收入从 82.87 亿元增长至 320.84 亿元，并完成了从 DDR4 向 DDR5 的全面技术转轨。

长鑫科技的每一步发展，均与全球 DRAM 产业近十五年来最严重的供应短缺及格局重构同步。当前，DRAM 已不再仅是电子系统的标准组件，而是 AI 算力竞赛中与 GPU 同等稀缺的战略物资。产业链权力格局正因高带宽内存（HBM）需求爆发及产能转移引发的结构性短缺而发生深刻变化。

当前 DRAM 行业最显著的特征，是 "AI 排挤效应 " 引发的全品类价格上行及供需错配。Counterpoint Research 发布的《2 月内存价格追踪报告》显示，2026 年第一季度以来，DRAM 价格较 2025 年第四季度末上涨 80% 至 90%。其中，通用服务器 DRAM 成为本轮涨价的主要驱动因素，64GB RDIMM 合约价从 450 美元升至 900 美元以上，预计第二季度有望突破 1000 美元。

值得关注的是，部分 DDR4 规格产品在 2025 年内单价从不足 3.2 美元升至 64.5 美元，涨幅达 1922.8%。高盛最新预测显示，2026 年和 2027 年 DRAM 供不应求幅度将分别达到 4.9% 和 2.5%，其中 2026 年的供应短缺或为过去十五年来最严重的一次。这一局面的背后，是全球 DRAM 市场由三星、SK 海力士、美光三大厂商占据超过 95% 份额的高度集中格局，供给弹性被压缩至较低水平，而 HBM 需求的爆发式增长成为加剧短缺的核心因素。

HBM 并非新生技术，早在 2013 年即已问世，但因工艺复杂度高、量产成本居高不下，长期应用于超算与高端显卡等小众领域。生成式 AI 的兴起彻底改变了这一格局。HBM 基于 3D 堆叠工艺，通过硅通孔技术将多层 DRAM 裸芯片垂直堆叠，显著提升数据传输带宽并缩短与 GPU 的物理距离。以英伟达 B300 芯片为例，其搭载 8 颗 12 层堆叠 HBM，单颗成本为普通 DDR4 的十倍以上，占封装后 GPU 总成本的 50% 及以上。

人工智能算力需求的快速增长，推动主要存储制造商将产能重心向 HBM 倾斜。美光披露的数据显示，HBM 占其 DRAM 总营收比例从 2023 年的 17% 上升至 2025 年的近 50%。预计全球 HBM 市场规模将从 2025 年的 350 亿美元增长至 2028 年的 1000 亿美元，这一规模已超过 2024 年全球 DRAM 市场总额。

面对 HBM 带来的高利润空间，三大存储厂商相继调整产能布局。三星于 2025 年 4 月宣布逐步停产 DDR4，美光、SK 海力士随后跟进。然而，消费电子、汽车、工业等领域对 DDR4 的需求仍保持稳定，供给端的快速收缩导致 DRAM 市场出现罕见的 " 结构性短缺 "，DDR4 现货价格一度反超 DDR5。尽管三星、SK 海力士在 2025 年底紧急恢复部分 DDR4 产能，但 AI 数据中心建设已全面提速——全球近 2000 座新数据中心处于规划或建设中，将在现有 9000 座基础上增加约 20% ——供需平衡短期内难以恢复。英特尔首席执行官陈立武在思科 AI 峰会上表示，2028 年之前 DRAM 供应紧张局面预计将持续。

技术演进路径在这一轮短缺中发生转变。随着制程微缩逼近物理极限，行业将重点转向先进封装与堆叠层数的竞争。HBM4 标准最高可支持 16 层 DRAM 裸芯片堆叠，20 层堆叠已在三星实验室通过混合键合技术得到验证。从大规模回流模塑底部填充到混合键合，散热与良率的每一次突破均意味着硅片消耗量的显著增加，形成 " 用更多 DRAM 解决 DRAM 短缺 " 的技术特征。美光新加坡 HBM 晶圆厂计划 2027 年投产，三星平泽新厂预计 2028 年落成，SK 海力士印第安纳州基地计划 2028 年底完工，新增产能投放的时间差决定了未来三年供给仍将处于偏紧状态。对于下游终端厂商而言，成本转嫁与产品结构重构成为现实课题：智能手机厂商调整设备 DRAM 配置、向 LPDDR5 迁移，PC 品牌则面临 2026 年第一季度出货量预计下滑 14.8% 的压力。

在此背景下，长鑫科技以 " 中国第一、全球第四 " 的 DRAM 厂商身份进入资本市场。根据 Omdia 按 2024 年产能及出货量统计，长鑫科技已成为仅次于三星、SK 海力士、美光的全球第四大 DRAM 企业。其招股书首次完整披露了公司的技术布局：截至 2024 年底，自有 DDR4 产品已全面停产，产能转向 DDR5 及 LPDDR5/5X 等新一代产品；首款国产 DDR5 速率达 8000Mbps，单颗最大容量 24Gb，LPDDR5X 最高速率提升至 10667Mbps，较上一代提升 66%。这一技术跃迁背后是持续高强度的研发投入—— 2022 年至 2025 年上半年，公司累计研发投入约 188 亿元，占同期营业收入比例达 33.11%，2025 年上半年研发费用率为 23.71%，显著高于行业平均水平及三星、SK 海力士、美光等国际厂商。持续投入带动毛利率从 2023 年剔除存货跌价因素后的 -112.71% 回升至 2025 年第三季度的 35%。公司方面预计，若产品均价维持在接近 2025 年 9 月的水平，2026 年或 2027 年有望实现全面盈利。

尽管如此，长鑫科技所代表的中国 DRAM 产业，在国际地位上仍处于技术追赶与份额积累阶段。从市场份额看，公司 2025 年第二季度全球占比约为 3.97%，与三大厂商超过 90% 的份额存在明显差距。从技术布局看，虽然 DDR5 及 LPDDR5X 产品性能已接近国际主流水平，但在决定 AI 算力竞争格局的 HBM 领域，长鑫科技仍处于初期攻坚阶段。据媒体报道，公司已启动 HBM3 模组量产筹备，计划将每月约 6 万片晶圆产能投入 HBM 生产，占总月产能 30 万片的 20%，并与华为等国产 AI 芯片企业合作推进国产高带宽存储方案。若该布局在 2026 年内实现实质性落地，将标志着中国存储产业首次进入全球 AI 算力核心供应链。但需正视的是，韩国厂商自 2023 年起已全面进入第四代 HBM 量产阶段，SK 海力士、三星与英伟达等客户的深度绑定形成了较高的认证壁垒，长鑫科技 HBM 产品的良率与大规模交付能力仍有待市场验证。

在多重因素交织下，以长鑫科技为龙头的国内 DRAM 企业正面临三重机遇。第一是供需失衡带来的市场窗口。宏碁董事长陈俊圣表示，中国大陆 DDR5 产能的释放将是缓解存储缺货的关键。阿里云、字节跳动、腾讯、小米、联想等国内产业链下游企业已出现在长鑫科技客户名单中，供应链安全诉求正转化为实际订单。第二是海外厂商的战略性产能收缩。随着三星、美光逐步退出利基型 DRAM 及 DDR4 市场，国内相关企业迎来市占率提升的空间。第三是国家政策与资本市场的支持。长鑫科技作为科创板 " 预先审阅机制 " 首单项目，其 295 亿元募资将用于技术升级与产品研发，这一制度安排在保护核心技术信息的同时，为硬科技企业提供了融资渠道。

但机遇背后亦存现实挑战。长鑫科技招股书显示，公司累计未弥补亏损超过 370 亿元，尚未实现全面盈利，揭示了 DRAM 行业重资产、高投入、强周期的经营特征。

此外，全球供应链的地缘因素仍在持续影响产业运行。中芯国际联合首席执行官赵海军表示，大陆自产存储产品供给存在不足，中间环节囤货行为导致下游客户难以准确预测出货节奏。这种资源错配在 AI 产能挤占效应下进一步加剧——有限产能向 HBM 与高端 DDR5 集中，中低阶市场处于供应序列末端。赵海军预计，随着产能逐步回补与库存释放，市场可能在 2026 年第三季度迎来调整，但他同时提示客户不宜过度削减订单，需求回温时若供应不足可能影响市场份额。

当前，DRAM 行业呈现分化格局：三大原厂凭借 HBM 业务获得较高利润率，Counterpoint 预计 2026 年第一季度 DRAM 厂商营业利润率将突破历史高位；下游 OEM 厂商则在零部件成本上升与终端需求承压之间寻求平衡。长鑫科技作为从第五代 DRAM 产品阶段进入全球竞争的中国企业，正以较大规模的资本投入缩小技术代差，并向 HBM 领域发起突破。此次 IPO 不仅是募资行为，也标志着中国半导体产业链在存储领域关键环节的系统性投入。未来公司能否实现盈利，取决于其在全球存储市场既有格局下，能否通过持续研发与产能建设，构建足以应对行业周期性波动的技术能力与客户信任基础。