在第三代半导体氮化镓（GaN）产业崛起、市场规模扩容的当下，专利作为企业核心技术的直接体现，已成为争夺市场话语权、构筑竞争壁垒的关键筹码。中国 GaN 龙头企业英诺赛科与德国半导体巨头英飞凌，自 2024 年起展开的多司法辖区专利纠纷，不仅牵动双方全球布局与商业利益，更折射出全球半导体竞争格局的深层变化。这场围绕 GaN 技术专利的较量，既是企业间的知识产权维权之争，也是产业发展过程中技术自主与市场突围的典型缩影。

纠纷核心：多辖区交锋，裁定结果各有侧重

从全球区域来看，双方纠纷并非单一辖区维权，而是覆盖中、美、德三大核心市场的全方位专利博弈，涉案专利聚焦 GaN 功率器件与封装结构，关联快充、AI 数据中心、新能源汽车等高增长领域，其专利归属与侵权认定，或将对全球 GaN 产业格局产生重要影响。

首先，美国市场是双方博弈的核心战场，以 ITC 337 调查与联邦法院诉讼双线推进。2024 年 7 月，英飞凌向美国国际贸易委员会（ITC）提交 337 调查申请，指控英诺赛科相关半导体器件及下游产品侵犯其四项美国专利，请求发布排除令与永久禁令，同时在加州北区地方法院提起侵权诉讼，形成多重法律施压。2025 年 4 月，英飞凌主动撤回两项专利指控，仅保留两项核心专利继续诉讼，美国专利商标局亦驳回英诺赛科针对这两项专利的无效挑战。

2025 年 12 月 2 日，ITC 初步裁定认定英诺赛科侵犯英飞凌 US9,899,481 专利，但未侵犯另一项核心专利，且英诺赛科现有规避设计产品不构成侵权。2026 年 2 月 2 日，ITC 再宣布对案件启动相关复审，重点围绕涉案专利的权利要求解释、侵权认定等争议焦点。目前，英诺赛科已向美国专利商标局发起该专利无效申请，主张其仅涉及传统封装结构且缺乏新颖性和非显而易见性，并强调产品已完成迭代规避。据悉，ITC 最终裁决预计 4 月初发布。

德国市场中，英飞凌依托本土司法优势抢占先机。2024 年 6 月，英飞凌在慕尼黑法院提起三项侵权诉讼，并借纽伦堡 PCIM 展会契机获得临时禁令，限制英诺赛科展示涉诉产品，干扰其市场推广。同年 8 月，慕尼黑法院一审判决英诺赛科部分产品侵权，判令禁止其在德销售、制造相关产品并赔偿损失。英诺赛科随即向德国联邦专利法院提起专利无效反诉，该案件仍在审理。期间，英飞凌借助德国法院快速禁令制度，在英诺赛科完成应诉与产品整改前确立 " 先手 "，延续了其在 GaN 专利战中利用本土禁令干扰展会与供应链的惯用策略。

与此同时，中国市场成为英诺赛科反击的关键突破口。2025 年初，英诺赛科向苏州中院起诉英飞凌中国子公司及其代理商，指控其侵犯两项核心 GaN 专利；同年 5 月，江苏高院终审驳回英飞凌管辖权异议，确认苏州中院审理资格。8 月，国家知识产权局维持英诺赛科该两项专利全部有效，驳回英飞凌无效请求。在全球第三代半导体产业格局的重要角力中，此次胜利不仅维护了其本土权益，更彰显了核心技术的自主性，为全球诉讼奠定基础。

竞争动机：以专利为矛，争夺 GaN 市场主导权

从深层逻辑来看，英诺赛科与英飞凌发的专利纠纷并非偶然，而是双方市场地位、技术布局与商业利益长期冲突的结果所致。近年来，英飞凌通过收购 GaNSystems 加速布局氮化镓市场，而英诺赛科的 8 英寸硅基氮化镓量产技术打破国际垄断，双方诉讼本质是第三代半导体技术话语权的争夺，即在全球 GaN 产业高速发展背景下，以专利为武器争夺市场主导权。

英飞凌采取 " 多线出击、先发制人 " 的策略，于 2024 年同步在美、德两大核心市场发起诉讼，依托自身专利储备与对当地司法规则的熟悉，快速遏制英诺赛科的全球化进程。在德国，其利用当地法院可快速签发临时禁令的制度特点，在英诺赛科尚未充分应对之际，干扰对方展会推广与供应链布局；在美国，则通过 ITC337 调查与联邦法院诉讼多重施压，意图封堵其市场准入通道，并主动撤回部分专利主张，集中资源提升核心专利的胜诉概率。

面对这一攻势，英诺赛科实施 " 积极应诉、主动反击、全球联动 " 策略，展现出成熟的知识产权管理与危机处置能力。应诉层面，组建全球专业律师团队在美、德两地抗辩，挑战涉案专利有效性，并快速推进产品迭代与规避设计，保障 © 核心业务稳定；在反击层面，依托中国本土市场提起诉讼形成对等威慑，同时向 USPTO 发起专利无效请求，削弱英飞凌的诉讼筹码；在全球统筹层面，建立跨区域协同机制，以最大限度降低诉讼对全球化布局的冲击。

显然，这场专利纠纷核心源于双方市场地位与竞争诉求，或将对行业格局造成一定影响。

英飞凌作为全球功率半导体龙头，是 GaN 领域领先的 IDM 厂商，拥有约 450 个 GaN 专利家族，覆盖器件、封装、应用等关键环节，在高端 GaN 市场尤其是汽车电子、AI 数据中心等领域占据主导地位。近年来，以英诺赛科为代表的中国企业快速崛起，对其既有市场份额形成冲击。而英飞凌发起系列诉讼，意在通过专利壁垒遏制竞争对手扩张，巩固自身专利护城河与市场主导地位，抬高行业准入门槛，挤压中国企业的发展空间。

英诺赛科作为中国 GaN 产业龙头，专注硅基氮化镓研发与量产，拥有全球规模最大的 8 英寸 GaN 量产基地，2023 年以 42.4% 的全球市占率位居首位，在成本控制与产能规模上具备突出优势，产品广泛应用于新能源汽车、数据中心等场景，全球化布局步伐持续加快。其积极应诉并主动反击，既是维护自身市场份额与品牌声誉的必然选择，更是突破欧美专利壁垒、打破高端市场垄断、推动中国 GaN 产业迈向全球舞台的关键一役。

多维应对：凭胜诉破局，系列合作印证地位

面对英飞凌在全球多法域发起的专利攻势，，英诺赛科未陷入被动防守，而是通过一系列积极举措实现破局，既在诉讼中斩获关键胜利，又持续深化国内外合作及协同，用实际行动证明专利纠纷未对核心业务与发展战略造成实质性影响，彰显了强劲的行业竞争力。

在诉讼事件上，英诺赛科成效显著。中国市场上，其成功捍卫两项核心 GaN 专利有效性，发起的侵权诉讼获得法院支持，这场胜利不仅维护了其本土权益，更提升了中国 GaN 企业在全球知识产权领域的话语权，为本土半导体企业应对海外专利诉讼提供了重要借鉴。

在美国市场，英诺赛科的应对同样可圈可点。尽管 ITC 初步裁定认定一项专利侵权，但英诺赛科已快速完成产品设计规避与迭代，当前在美国销售的产品均规避了该专利保护范围，可合法合规开展业务。同时，其向 USPTO 提出的专利无效请求仍在推进中，若最终成功推翻涉案专利，将有望彻底扭转美国诉讼局面，为全面进入美国市场扫清重要障碍。

在行业合作层面，英诺赛科持续发力印证自身核心竞争力，其中包括与英伟达于 2025 年 8 月达成战略合作，共同推动 800 伏直流（800VDC）电源架构在 AI 数据中心的规模化落地。英诺赛科作为核心氮化镓（GaN）芯片供应商，是本次合作中唯一入选的中国企业。

此外，2025 年 12 月 3 日，英诺赛科与安森美签署战略合作备忘录，聚焦 40-200VGaN 功率器件展开深度协同，依托安森美在系统集成、封装技术与全球渠道的优势，结合自身规模化制造与产能能力，共同面向工业、汽车、消费电子等领域推出高效高性价比方案，加速切入高端市场。2026 年 2 月 4 日，英诺赛科宣布其产品已完成谷歌 AI 硬件平台的重要设计导入并签订正式供货协议，进一步印证其在 GaN 领域的技术领先性与产品可靠性。

与此同时，英诺赛科持续推动与意法半导体、Allegro 联合动力、美的、联合电子与纳芯微邓国外内上下游企业和协同与合作，推出多款联合解决方案提升竞争力，扩大市场覆盖面，并多维助力行业创新和升级。这些合作的落地有力证明全球企业对英诺赛科技术实力、产品质量与专利合规性的认可，彰显其核心竞争力未受专利纠纷影响，同时全球化步伐稳步推进。

写在最后

在第三代半导体的全球竞争中，专利与合规将与工艺、产能、成本同等重要，甚至在关键市场具备 " 生杀大权 "。而这场专利较量无论终局如何，均将推动全球 GaN 产业更加重视知识产权保护，加速技术创新与产业升级。通过从 " 防守型应诉 " 转向 " 进攻型博弈 "，以及构建 " 技术 + 专利 + 合规 " 一体化战略和全球化合作布局，英诺赛科有望借此次机遇进一步提升全球地位，助力中国 GaN 产业实现高质量发展，在全球半导体竞争中占据更重要的位置。